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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.21.00.75 | 风险等级： | 5.08 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.1 A | 集电极-发射极最大电压： | 20 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 120 |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | PNP | 认证状态： | Not Qualified |
| 参考标准： | CECC | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 150 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| BCW29-TAPE-13 | NXP | TRANSISTOR 100 mA, 32 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Signa |
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| BCW29-TAPE-7 | NXP | TRANSISTOR 100 mA, 32 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Signa |
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| BCW29TC | DIODES | Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon |
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| BCW29TF | SAMSUNG | Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, SOT-23, |
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| BCW29TI | SAMSUNG | Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, SOT-23, |
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| BCW29TR | SAMSUNG | Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, SOT-23, |
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