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BCW29TRL

更新时间: 2024-02-04 01:27:55
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 90K
描述
TRANSISTOR 100 mA, 32 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Signal

BCW29TRL 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code:compliantHTS代码:8541.21.00.95
风险等级:5.08其他特性:LOW NOISE
基于收集器的最大容量:4.5 pF集电极-发射极最大电压:32 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):120
JESD-30 代码:R-PDSO-G3JESD-609代码:e3
湿度敏感等级:1元件数量:1
端子数量:3封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):260极性/信道类型:PNP
认证状态:Not Qualified表面贴装:YES
端子面层:MATTE TIN (315)端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:10
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):150 MHz
VCEsat-Max:0.3 VBase Number Matches:1

BCW29TRL 数据手册

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DISCRETE SEMICONDUCTORS  
DATA SHEET  
BCW29; BCW30  
PNP general purpose transistors  
Product data sheet  
2004 Jan 13  
Supersedes data of 1999 Apr 13  

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