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TC51V4265DFTS-60

更新时间： 2024-02-16 20:00:38

品牌	Logo	应用领域
东芝 - TOSHIBA		动态存储器光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
8页	249K
描述
IC 256K X 16 EDO DRAM, 60 ns, PDSO40, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP-44/40, Dynamic RAM

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TC51V4265DFTS-60 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TSOP	包装说明：	TSOP2,
针数：	44	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.02
风险等级：	5.85	访问模式：	FAST PAGE WITH EDO
最长访问时间：	60 ns	其他特性：	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEELF REFRESH
JESD-30 代码：	R-PDSO-G40	JESD-609代码：	e0
长度：	18.41 mm	内存密度：	4194304 bit
内存集成电路类型：	EDO DRAM	内存宽度：	16
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	40	字数：	262144 words
字数代码：	256000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	256KX16	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TSOP2
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	认证状态：	Not Qualified
刷新周期：	512	座面最大高度：	1.2 mm
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	3 V
标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.8 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	宽度：	10.16 mm
Base Number Matches：	1

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
TC51V4265DFTS-70	TOSHIBA	IC 256K X 16 EDO DRAM, 70 ns, PDSO40, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP-44/40, Dynamic RAM	获取价格
TC51V4400AFT-80	TOSHIBA	IC 1M X 4 OTHER DRAM, 80 ns, PDSO20, 0.300 INCH, TSOP2-26/20, Dynamic RAM	获取价格
TC51V4400AFTL-80	TOSHIBA	IC 1M X 4 FAST PAGE DRAM, 80 ns, PDSO20, 0.300 INCH, PLASTIC, TSOP-26/20, Dynamic RAM	获取价格
TC51V4400APL-10	TOSHIBA	IC,DRAM,FAST PAGE,1MX4,CMOS,DIP,20PIN,PLASTIC	获取价格
TC51V4400APL-80	TOSHIBA	IC,DRAM,FAST PAGE,1MX4,CMOS,DIP,20PIN,PLASTIC	获取价格
TC51V4400ASJ-80	TOSHIBA	IC 1M X 4 OTHER DRAM, 80 ns, PDSO20, SOJ-26/20, Dynamic RAM	获取价格