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TM2CN64EFN-10 PDF预览

TM2CN64EFN-10

更新时间： 2024-01-03 09:49:35
品牌 Logo 应用领域
德州仪器 - TI 时钟动态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
15页 252K
描述
2MX64 SYNCHRONOUS DRAM MODULE, 7.5ns, DMA168, DIMM-168

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TM2CN64EFN-10 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：DIMM
包装说明：DIMM, DIMM168针数：168
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.32.00.02风险等级：5.84
访问模式：DUAL BANK PAGE BURST最长访问时间：7.5 ns
其他特性：AUTO/SELF REFRESH最大时钟频率 (fCLK)：100 MHz
I/O 类型：COMMONJESD-30 代码：R-XDMA-N168
内存密度：134217728 bit内存集成电路类型：SYNCHRONOUS DRAM MODULE
内存宽度：64功能数量：1
端口数量：1端子数量：168
字数：2097152 words字数代码：2000000
工作模式：SYNCHRONOUS最高工作温度：70 °C
最低工作温度：组织：2MX64
输出特性：3-STATE封装主体材料：UNSPECIFIED
封装代码：DIMM封装等效代码：DIMM168
封装形状：RECTANGULAR封装形式：MICROELECTRONIC ASSEMBLY
电源：3.3 V认证状态：Not Qualified
刷新周期：4096自我刷新：YES
最大待机电流：0.002 A子类别：DRAMs
最大压摆率：0.13 mA最大供电电压 (Vsup)：3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：3 V标称供电电压 (Vsup)：3.3 V
表面贴装：NO技术：CMOS
温度等级：COMMERCIAL端子形式：NO LEAD
端子节距：1.27 mm端子位置：DUAL
Base Number Matches：1

TM2CN64EFN-10 数据手册

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TM2CN64EFN 2097152 BY 64-BIT  
TM4CN64EFN 4194304 BY 64-BIT  
SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM MODULES  
SMMS714 – MAY 1998  
Organization:  
– TM2CN64EFN . . . 2 097 152 x 64 Bits  
– TM4CN64EFN . . . 4 194 304 x 64 Bits  
High-Speed, Low-Noise, Low-Voltage TTL  
(LVTTL) Interface  
Read Latencies 2 and 3 Supported  
Single 3.3-V Power Supply  
(±10% Tolerance)  
Support Burst-Interleave and  
Burst-Interrupt Operations  
Designed for 66-MHz 4-Clock Systems  
Burst Length Programmable to 1, 2, 4,  
and 8  
JEDEC 168-Pin Dual-In-Line Memory  
Module (DIMM) Without Buffer for Use With  
Socket  
Two Banks for On-Chip Interleaving  
(Gapless Access)  
TM2CN64EFN — Uses Eight 16M-Bit  
(2M × 8-Bit) Synchronous Dynamic RAMs  
(SDRAMs) in Plastic Thin Small-Outline  
Packages (TSOPs)  
Ambient Temperature Range  
0°C to 70°C  
Electroless Gold-Finished Contacts  
Pipeline Architecture  
TM4CN64EFN — Uses Sixteen 16M-Bit  
(2M × 8-Bit) SDRAMs in Plastic TSOPs  
Serial Presence Detect (SPD) Using  
EEPROM  
Byte-Read/Write Capability  
Performance Ranges:  
SYNCHRONOUS  
CLOCK CYCLE  
TIME  
ACCESS TIME  
CLOCK TO  
OUTPUT  
REFRESH  
INTERVAL  
t
t
t
t
AC2  
CK3  
CK2  
AC3  
†
(CL = 3)  
(CL = 2) (CL = 3) (CL = 2)  
’xCN64EFN-10  
10 ns  
15 ns 7.5 ns 8 ns  
64 ms  
†
CL = CAS latency  
description  
The TM2CN64EFN is a 16M-byte, 168-pin dual-in-line memory module (DIMM). The DIMM is composed of  
eight TMS626812ADGE 2097152 x 8-bit SDRAMs, each in a 400-mil, 44-pin plastic thin small-outline package  
(TSOP) mounted on a substrate with decoupling capacitors. See the TMS626812A data sheet (literature  
number SMOS691).  
The TM4CN64EFN is a 32M-byte, 168-pin DIMM. The DIMM is composed of sixteen TMS626812ADGE  
2097152 x 8-bit SDRAMs, each in a 400-mil, 44-pin plastic TSOP mounted on a substrate with decoupling  
capacitors.  
operation  
The TM2CN64EFN operates as eight TMS626812ADGE devices that are connected as shown in the  
TM2CN64EFN functional block diagram. The TM4CN64EFN operates as sixteen TMS626812ADGE devices  
connected as shown in the TM4CN64EFN functional block diagram.  
Please be aware that an important notice concerning availability, standard warranty, and use in critical applications of  
Texas Instruments semiconductor products and disclaimers thereto appears at the end of this data sheet.  
Copyright 1998, Texas Instruments Incorporated  
PRODUCT PREVIEW information concerns products in the formative or  
design phase of development. Characteristic data and other  
specifications are design goals. Texas Instruments reserves the right to  
change or discontinue these products without notice.  
1
POST OFFICE BOX 1443 • HOUSTON, TEXAS 77251–1443  
1234567...15

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