2SB0792

更新时间： 2024-01-20 02:48:09

品牌	Logo	应用领域
松下 - PANASONIC		/
页数	文件大小	规格书
3页	71K
描述
For High Breakdown Voltage Low-noise Amplification

阅读下载

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

2SB0792 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	SOT-23	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.75
风险等级：	5.84	其他特性：	LOW NOISE
最大集电极电流 (IC)：	0.05 A	集电极-发射极最大电压：	150 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	185
JEDEC-95代码：	TO-236	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	PNP
最大功率耗散 (Abs)：	0.2 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	200 MHz
Base Number Matches：	1

2SB0792 数据手册

Transistors

2SB0792 (2SB792), 2SB0792A (2SB792A)

Silicon PNP epitaxial planar type

For high breakdown voltage low-noise amplification

Unit: mm

+0.10

–0.05

■ Features

0.40

+0.10

–0.06

0.16

• High collector-emitter voltage (Base open) V_CEO

• Low noise voltage NV

• Mini type package, allowing downsizing of the equipment and

automatic insertion through the tape packing and the magazine

packing

(0.95) (0.95)

1.9 0.1

+0.20

■ Absolute Maximum Ratings T_a= 25°C

2.90

–0.05

Parameter

Symbol

Rating

−150

−185

−150

−185

−5

Unit

10˚

2SB0792

2SB0792A

2SB0792

2SB0792A

V_CBO

Collector-base voltage

(Emitter open)

1: Base

2: Emitter

3: Collector

V_CEO

Collector-emitter voltage

(Base open)

EIAJ: SC-59

Mini3-G1 Package

Emitter-base voltage (Collector open) V_EBO

Collector current

I_C

I_CP

P_C

T_j

−50

°C

Marking Symbol:

• 2SB0792: I

Peak collector current

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

−100

200

• 2SB0792A: 2F

150

T_stg

−55 to +150

°C

■ Electrical Characteristics T_a= 25°C 3°C

Parameter

Symbol

Conditions

Min

−150

−185

−5

Typ

Max

Unit

2SB0792

2SB0792A

V_CEO

I_C= −100 µA, I_B= 0

Collector-emitter voltage

(Base open)

Emitter-base voltage (Collector open)

Collector-base cutoff current (Emitter open)

V_EBO

I_CBO

h_FE

I_E= −10 µA, I_C= 0

µA



V_CB= −100 V, I_E= 0

V_CE= −5 V, I_C= −10 mA

−1

450

330

−1

2SB0792

2SB0792A

130

Forward current transfer

ratio ^*

Collector-emitter saturation voltage

Transition frequency

V_CE(sat)I_C= −30 mA, I_B= −3 mA

MHz

f_T

V_CB= −10 V, I_E= 10 mA, f = 200 MHz

200

Collector output capacitance

C_ob

V_CB= −10 V, I_E= 0, f = 1 MHz

(Common base, input open circuited)

Noise voltage

V_CE= −10 V, I_C= −1 mA, G_V= 80 dB

R_g= 100 kΩ, Function = FLAT

150

Note) 1. Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 measuring methods for transistors.

2. : Rank classification

Rank

130 to 220

185 to 330

260 to 450

h_FE

2SB0792

2SB0792A

Marking

symbol

2FR

2FS



Note) The part numbers in the parenthesis show conventional part number.

Publication date: March 2003

SJC00058BED

12 3

下载PDF

与2SB0792相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2SB0792(2SB792)	ETC	Small-signal device - Small-signal transistor - General-use Low-Frequency Amplifires	获取价格
2SB0792/2SB0792A(2SB792/2SB792A)	ETC	2SB0792. 2SB0792A (2SB792. 2SB792A) - PNP Transistor	获取价格
2SB0792\|2SB792	ETC	Small-signal device - Small-signal transistor - General-use Low-Frequency Amplifires	获取价格
2SB0792A	PANASONIC	Silicon PNP epitaxial planer type	获取价格
2SB0792A(2SB792A)	ETC	小信号デバイス－小信号トランジスタ－汎用低周波増幅	获取价格
2SB0792A\|2SB792A	ETC	Small-signal device - Small-signal transistor - General-use Low-Frequency Amplifires	获取价格

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

2SB0792

2SB0792 技术参数

2SB0792 数据手册

与2SB0792相关器件

与2SB0792相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

2SB0792

2SB0792 技术参数

2SB0792 数据手册

与2SB0792相关器件

与2SB0792相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？