IRHE93130

更新时间： 2024-02-08 12:51:05

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英飞凌 - INFINEON		晶体晶体管开关脉冲
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描述
RADIATION HARDENED POWER MOSFET SURFACE MOUNT (LCC-18)

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IRHE93130 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	CHIP CARRIER, R-CQCC-N15	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.72	其他特性：	HIGH RELIABILITY, RADIATION HARDENED
雪崩能效等级（Eas）：	165 mJ	外壳连接：	SOURCE
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	100 V
最大漏极电流 (ID)：	6.5 A	最大漏源导通电阻：	0.35 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-CQCC-N15
元件数量：	1	端子数量：	15
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	CHIP CARRIER	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	P-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	26 A
表面贴装：	YES	端子形式：	NO LEAD
端子位置：	QUAD	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IRHE93130 数据手册

PD - 90881C

IRHE9130

100V, P-CHANNEL

REF: MIL-PRF-19500/630

RAD-Hard^™HEXFET^®

MOSFETTECHNOLOGY

RADIATION HARDENED

POWER MOSFET

SURFACE MOUNT (LCC-18)

Product Summary

Part Number Radiation Level RDS(on)

QPL Part Number

IRHE9130

100K Rads (Si)

300K Rads (Si)

0.30Ω

-6.5A JANSR2N7389U

-6.5A JANSF2N7389U

IRHE93130

International Rectifier’s RAD-Hard^TMHEXFET^®MOSFET

technology provides high performance power MOSFETs

for space applications. This technology has over a de-

cade of proven performance and reliability in satellite

applications. These devices have been characterized

for both Total Dose and Single Event Effects (SEE). The

combination of low Rdson and low gate charge reduces

the power losses in switching applications such as DC to

DC converters and motor control. These devices retain

all of the well established advantages of MOSFETs such

as voltage control, fast switching, ease of paralleling and

temperature stability of electrical parameters.

LCC - 18

Features:

Single Event Effect (SEE) Hardened

Low RDS(on)

Low Total Gate Charge

Proton Tolerant

Simple Drive Requirements

Ease of Paralleling

Hermetically Sealed

Ceramic Package

Surface Mount

Light Weight

Absolute Maximum Ratings

Pre-Irradiation

Parameter

Units

@ V

= 12V, T = 25°C

Continuous Drain Current

-6.5

= 12V, T = 100°C Continuous Drain Current

-4.1

-26

Pulsed Drain Current ➀

Max. Power Dissipation

@ T = 25°C

W/°C

Linear Derating Factor

0.2

Gate-to-Source Voltage

±20

Single Pulse Avalanche Energy ➀

Avalanche Current ➀

165

-6.5

Repetitive Avalanche Energy ➀

Peak Diode Recovery dv/dt ➀

Operating Junction

2.5

V/ns

dv/dt

-22

-55 to 150

^oC

Storage Temperature Range

STG

Pckg. Mounting Surface Temp.

Weight

300 ( for 5s)

0.42 (Typical)

For footnotes refer to the last page

www.irf.com

2/20/03

12 3 4 5 6 7 8

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
IRHE93130PBF	INFINEON	暂无描述	获取价格
IRHE93230	INFINEON	RADIATION HARDENED POWER MOSFET SURFACE MOUNT (LCC-18)	获取价格
IRHF130	ETC	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 100V V(BR)DSS \| 8A I(D) \| TO-205AF	获取价格
IRHF230	ETC	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 100V V(BR)DSS \| 8A I(D) \| TO-205AF	获取价格
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IRHF3110PBF	INFINEON	Power Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 100V, 0.69ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me	获取价格

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