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| 是否无铅： | 不含铅 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.29.00.95 |
| Factory Lead Time： | 1 week | 风险等级： | 0.94 |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 150 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 7.5 A | 最大漏极电流 (ID)： | 7.5 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.0198 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| 最大反馈电容 (Crss)： | 15 pF | JESD-30 代码： | R-PDSO-G8 |
| JESD-609代码： | e4 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 8 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 最低工作温度： | -55 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 5 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| FDS86242 | FAIRCHILD | N-Channel PowerTrench® MOSFET |
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| FDS86242 | ONSEMI | 150V N沟道PowerTrench® MOSFET |
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| FDS86252 | FAIRCHILD | N-Channel Power Trench® MOSFET 150 V, 4.5 A, |
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| FDS86252 | ONSEMI | N 沟道，Power Trench® MOSFET，150V，4.5A，55mΩ |
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| FDS86265P | FAIRCHILD | Small Signal Field-Effect Transistor, 1A I(D), 150V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal- |
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| FDS86267P | ONSEMI | P 沟道，屏蔽门极 PowerTrench® MOSFET，-150V，-2.2A，255 |
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