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BSM400GA120DN2S

更新时间： 2024-01-11 17:03:45

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EUPEC		晶体晶体管开关双极性晶体管通用开关栅局域网
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11页	194K
描述
IGBT Power Module

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BSM400GA120DN2S 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	MODULE-5
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.57
Is Samacsys：	N	外壳连接：	ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：	550 A	集电极-发射极最大电压：	1200 V
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	门极-发射极最大电压：	20 V
JESD-30 代码：	R-XUFM-X5	元件数量：	1
端子数量：	5	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	2700 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Insulated Gate BIP Transistors	表面贴装：	NO
端子形式：	UNSPECIFIED	端子位置：	UPPER
晶体管应用：	GENERAL PURPOSE SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称断开时间 (toff)：	630 ns	标称接通时间 (ton)：	210 ns
VCEsat-Max：	3 V	Base Number Matches：	1

BSM400GA120DN2S 数据手册

BSM 400 GA 120 DN2

IGBT Power Module

• Single switch

• Including fast free-wheeling diodes

• Package with insulated metal base plate

Type

Package

Ordering Code

BSM 400 GA 120 DN2

BSM 400 GA 120 DN2 S

1200V 550A SINGLE SWITCH

1200V 550A SSW SENSE 1

C67070-A2302-A70

C67070-A2308-A70

Maximum Ratings

Parameter

Symbol

Values

Unit

Collector-emitter voltage

Collector-gate voltage

1200

CGR

= 20 kW

1200

± 20

Gate-emitter voltage

DC collector current

T = 25 °C

550

400

T = 80 °C

Pulsed collector current, t = 1 ms

Cpuls

T = 25 °C

1100

800

T = 125 °C

Power dissipation per IGBT

tot

T = 25 °C

2700

Chip temperature

+ 150

°C

Storage temperature

-40 ... + 125

stg

Thermal resistance, chip case

Diode thermal resistance, chip case

Insulation test voltage, t = 1min.

Creepage distance

0.045

0.09

K/W

thJC

2500

Vac

Clearance

DIN humidity category, DIN 40 040

IEC climatic category, DIN IEC 68-1

sec

40 / 125 / 56

Oct-30-1997

12 3 4 5 6 7...11

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与BSM400GA120DN2S相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
BSM400GA170D2S	INFINEON	Insulated Gate Bipolar Transistor, 400A I(C), 1700V V(BR)CES, N-Channel,	获取价格
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