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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Active |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | 风险等级： | 5.9 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 1.5 A | 基于收集器的最大容量： | 150 pF |
| 集电极-发射极最大电压： | 55 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 35 | JEDEC-95代码： | TO-39 |
| JESD-30 代码： | O-MBCY-W3 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 200 °C | 最低工作温度： | -65 °C |
| 封装主体材料： | METAL | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | CYLINDRICAL | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | NPN | 最大功率耗散 (Abs)： | 5 W |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | WIRE | 端子位置： | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 1.5 MHz |
| VCEsat-Max： | 1.4 V |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 2N1482/S | NJSEMI | Trans GP BJT NPN 55V 1.5A 3-Pin TO-39 Box |
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| 2N1482E3 | MICROSEMI | Small Signal Bipolar Transistor |
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| 2N1483 | NJSEMI | NPN SILICON MEDIUM POWER TRANSISTOR |
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| 2N1483 | MICROSEMI | NPN SILICON MEDIUM POWER TRANSISTOR |
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| 2N1483 | ASI | Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-8, Metal, 3 P |
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| 2N1483A | ETC | TRANSISTOR | BJT | NPN | 40V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-8 |
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