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Datasheet > 存储 > EEPROM> 93C56A-I/OTG
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93C56A-I/OTG

更新时间： 2024-02-04 22:03:34
品牌 Logo 应用领域
美国微芯 - MICROCHIP 可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器
页数 文件大小 规格书
12页 169K
描述
256 X 8 MICROWIRE BUS SERIAL EEPROM, PDSO6, LEAD FREE, PLASTIC, SC-74A, SOT-23, 6 PIN

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93C56A-I/OTG 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：SOIC
包装说明：0.150 INCH, PLASTIC, SOIC-8针数：8
Reach Compliance Code：unknownFactory Lead Time：6 weeks
风险等级：5.65其他特性：10K ERASE/WRITE CYCLES MIN; DATA RETENTION > 40 YEARS
备用内存宽度：16最大时钟频率 (fCLK)：2 MHz
数据保留时间-最小值：40耐久性：1000000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码：R-PDSO-G8JESD-609代码：e0
内存密度：2048 bit内存集成电路类型：EEPROM
内存宽度：8功能数量：1
端子数量：8字数：256 words
字数代码：256工作模式：SYNCHRONOUS
最高工作温度：125 °C最低工作温度：-40 °C
组织：256X8输出特性：3-STATE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：SOP
封装等效代码：SOP8,.25封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE并行/串行：SERIAL
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED电源：5 V
认证状态：Not Qualified串行总线类型：MICROWIRE
最大待机电流：0.0001 A子类别：EEPROMs
最大压摆率：0.004 mA最大供电电压 (Vsup)：5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：4.5 V标称供电电压 (Vsup)：5 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：AUTOMOTIVE端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：GULL WING端子节距：1.27 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
最长写入周期时间 (tWC)：1 ms写保护：SOFTWARE
Base Number Matches：1

93C56A-I/OTG 数据手册

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93C56A/B  
TABLE 1-1:  
Name  
PIN FUNCTION TABLE  
Function  
1.0  
ELECTRICAL  
CHARACTERISTICS  
CS  
CLK  
DI  
Chip Select  
1.1  
Maximum Ratings*  
Serial Data Clock  
Serial Data Input  
Serial Data Output  
Ground  
VCC ...................................................................................7.0V  
All inputs and outputs w.r.t. VSS ................ -0.6V to Vcc +1.0V  
Storage temperature .....................................-65°C to +150°C  
Ambient temp. with power applied.................-65°C to +125°C  
Soldering temperature of leads (10 seconds) .............+300°C  
ESD protection on all pins................................................4 kV  
DO  
VSS  
NC  
VCC  
No Connect  
Power Supply  
*Notice: Stresses above those listed under “Maximum ratings” may  
cause permanent damage to the device.This is a stress rating only and  
functional operation of the device at those or any other conditions  
above those indicated in the operational listings of this specification is  
not implied. Exposure to maximum rating conditions for extended peri-  
ods may affect device reliability.  
TABLE 1-2:  
DC AND AC ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
Automotive (E)VCC = +4.5V to +5.5VTamb = -40°C to +125°C  
All parameters apply over the  
specified operating ranges  
unless otherwise noted  
Parameter  
Symbol  
Min.  
Max.  
Units  
Conditions  
High level input voltage  
Low level input voltage  
Low level output voltage  
High level output voltage  
Input leakage current  
Output leakage current  
VIH  
VIL  
2.0  
-0.3  
—
VCC +1  
0.8  
V
V
(Note 2)  
VOL  
VOH  
ILI  
0.4  
V
IOL = 2.1 mA; VCC = 4.5V  
IOH = -400 µA; VCC = 4.5V  
VIN = VSS to VCC  
2.4  
-10  
-10  
—
V
10  
µA  
µA  
ILO  
10  
VOUT = VSS to VCC  
Pin capacitance  
(all inputs/outputs)  
VIN/VOUT = 0 V (Notes 1 & 2)  
Tamb = +25°C, FCLK = 1 MHz  
CIN, COUT  
—
7
pF  
ICC write  
ICC read  
ICCS  
FCLK  
TCKH  
TCKL  
TCSS  
TCSH  
TCSL  
TDIS  
TDIH  
TPD  
—
—
1.5  
1
mA  
mA  
µA  
MHz  
ns  
Operating current  
Standby current  
—
1
CS = VSS  
Clock frequency  
—
2
Clock high time  
250  
250  
50  
—
—
—
—
—
—
—
400  
100  
500  
2
Clock low time  
ns  
Chip select setup time  
Chip select hold time  
Chip select low time  
Data input setup time  
Data input hold time  
Data output delay time  
Data output disable time  
Status valid time  
ns  
Relative to CLK  
Relative to CLK  
0
ns  
250  
100  
100  
—
ns  
ns  
Relative to CLK  
Relative to CLK  
CL = 100 pF  
ns  
ns  
TCZ  
—
ns  
CL = 100 pF (Note 2)  
CL = 100 pF  
TSV  
—
ns  
TWC  
TEC  
—
ms  
ms  
ms  
ERASE/WRITE mode  
ERAL mode  
Program cycle time  
—
6
TWL  
—
15  
—
WRAL mode  
Endurance  
—
100K  
cycles 25°C, VCC = 5.0V, Block Mode (Note 3)  
Note 1: This parameter is tested at Tamb = 25°C and FCLK = 1 MHz.  
2: This parameter is periodically sampled and not 100% tested.  
3: This application is not tested but guaranteed by characterization. For endurance estimates in a specific  
application, please consult the Total Endurance Model which may be obtained on Microchip’s BBS or web-  
site.  
DS21206B-page 2  
Preliminary  
1998 Microchip Technology Inc.  
 
 
1234567...12

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