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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | DIP | 包装说明： | DIP, DIP16,.3 |
| 针数： | 16 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | 3A001.A.2.C | HTS代码： | 8542.32.00.41 |
| 风险等级： | 5.49 | Is Samacsys： | N |
| 最长访问时间： | 60 ns | JESD-30 代码： | R-GDIP-T16 |
| JESD-609代码： | e0 | 长度： | 19.56 mm |
| 内存密度： | 1024 bit | 内存集成电路类型： | CACHE SRAM |
| 内存宽度： | 1 | 功能数量： | 1 |
| 端子数量： | 16 | 字数： | 1024 words |
| 字数代码： | 1000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 125 °C | 最低工作温度： | -55 °C |
| 组织： | 1KX1 | 输出特性： | 3-STATE |
| 封装主体材料： | CERAMIC, GLASS-SEALED | 封装代码： | DIP |
| 封装等效代码： | DIP16,.3 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 并行/串行： | SERIAL |
| 电源： | 5 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 座面最大高度： | 5.08 mm | 子类别： | SRAMs |
| 最大压摆率： | 0.145 mA | 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V |
| 表面贴装： | NO | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | MILITARY | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子节距： | 2.54 mm |
| 端子位置： | DUAL | 宽度： | 7.62 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 93425DM30 | FAIRCHILD |
获取价格 |
Cache SRAM, 1KX1, 30ns, CMOS, CDIP16, 0.300 INCH, CERDIP-16 |
|
| 93425DM30QB | FAIRCHILD |
获取价格 |
Cache SRAM, 1KX1, 30ns, Bipolar, CDIP16, 0.300 INCH, CERDIP-16 |
|
| 93425DM40 | FAIRCHILD |
获取价格 |
Cache SRAM, 1KX1, 40ns, CMOS, CDIP16, 0.300 INCH, CERDIP-16 |
|
| 93425DM40QB | FAIRCHILD |
获取价格 |
Cache SRAM, 1KX1, 40ns, Bipolar, CDIP16, 0.300 INCH, CERDIP-16 |
|
| 93425DMQB | FAIRCHILD |
获取价格 |
Cache SRAM, 1KX1, 60ns, CMOS, CDIP16, 0.300 INCH, CERDIP-16 |
|
| 93425DMQB30 | FAIRCHILD |
获取价格 |
Standard SRAM, 1KX1, 30ns, TTL, CDIP16, |
|
| 93425DMQB30 | TI |
获取价格 |
IC,SRAM,1KX1,TTL,DIP,16PIN,CERAMIC |
|
| 93425DMQB40 | ETC |
获取价格 |
x1 SRAM |
|
| 93425DMQB60 | TI |
获取价格 |
IC,SRAM,1KX1,TTL,DIP,16PIN,CERAMIC |
|
| 93425DMQC | FAIRCHILD |
获取价格 |
Standard SRAM, 1KX1, 60ns, TTL, CDIP16, |
|
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