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| 生命周期： | Obsolete | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.7 | 其他特性： | LOW NOISE |
| 特性阻抗： | 75 Ω | 构造： | MODULE |
| 增益： | 29 dB | 最大工作频率： | 860 MHz |
| 最小工作频率： | 40 MHz | 最高工作温度： | 100 °C |
| 最低工作温度： | -20 °C | 射频/微波设备类型： | WIDE BAND HIGH POWER |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 934027320114 | NXP |
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40MHz - 860MHz RF/MICROWAVE WIDE BAND HIGH POWER AMPLIFIER, SOT-115J, 7 PIN |
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| 934027540113 | NXP |
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DIODE 0.01 A, 8000 V, SILICON, SIGNAL DIODE, Signal Diode |
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| 934027540153 | NXP |
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DIODE 0.01 A, 8000 V, SILICON, SIGNAL DIODE, Signal Diode |
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| 934027550153 | NXP |
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DIODE 0.005 A, 10000 V, SILICON, SIGNAL DIODE, Signal Diode |
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| 934027560153 | NXP |
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DIODE 0.005 A, 12000 V, SILICON, SIGNAL DIODE, Signal Diode |
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| 934027590113 | NXP |
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DIODE 0.02 A, 5000 V, SILICON, SIGNAL DIODE, Signal Diode |
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| 934027590153 | NXP |
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DIODE 0.02 A, 5000 V, SILICON, SIGNAL DIODE, Signal Diode |
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| 934027600113 | NXP |
获取价格 |
DIODE 0.01 A, 8000 V, SILICON, SIGNAL DIODE, Signal Diode |
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| 934027600153 | NXP |
获取价格 |
DIODE 0.01 A, 8000 V, SILICON, SIGNAL DIODE, Signal Diode |
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| 934027620113 | NXP |
获取价格 |
DIODE 0.005 A, 12000 V, SILICON, SIGNAL DIODE, Signal Diode |
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