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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | End Of Life | 包装说明： | PLASTIC PACKAGE-3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| HTS代码： | 8541.21.00.95 | 风险等级： | 5.18 |
| 其他特性： | LOW NOISE | 配置： | SINGLE |
| 最小漏源击穿电压： | 25 V | FET 技术： | JUNCTION |
| 最大反馈电容 (Crss)： | 2.5 pF | 最高频带： | VERY HIGH FREQUENCY BAND |
| JEDEC-95代码： | TO-236AB | JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | DEPLETION MODE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Tin (Sn) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 934009000215 | NXP |
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VHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, JFET, TO-236AB, PLASTIC PACKAGE-3 |
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| 934009370133 | NXP |
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DIODE 3.6 V, 1 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, Voltage Regulator Diode |
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| 934009380115 | NXP |
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DIODE 3.6 V, 0.8 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, Voltage Regulator Dio |
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| 934009380135 | NXP |
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DIODE 3.6 V, 0.8 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, Voltage Regulator Dio |
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| 934009430115 | NXP |
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TRANSISTOR 1 A, 20 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, PLASTIC, SMD, SC-73, 4 PIN, BIP General P |
|
| 934009540114 | NXP |
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TRANSISTOR L BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR, BIP RF Power |
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| 934009610215 | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, PLASTIC, SC-61B, 4 PIN, BIP RF Sma |
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| 934010860115 | NXP |
获取价格 |
DIODE 3.9 V, 0.8 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, Voltage Regulator Dio |
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| 934010860135 | NXP |
获取价格 |
DIODE 3.9 V, 0.8 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, Voltage Regulator Dio |
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| 934010870115 | NXP |
获取价格 |
DIODE 4.3 V, 0.8 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, Voltage Regulator Dio |
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