是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8541.10.00.80 | 风险等级: | 5.65 |
外壳连接: | ISOLATED | 配置: | SINGLE |
二极管元件材料: | SILICON | 二极管类型: | RECTIFIER DIODE |
JESD-30 代码: | O-LALF-W2 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 2 | 最高工作温度: | 175 °C |
最低工作温度: | -65 °C | 最大输出电流: | 1 A |
封装主体材料: | GLASS | 封装形状: | ROUND |
封装形式: | LONG FORM | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
认证状态: | Not Qualified | 最大重复峰值反向电压: | 200 V |
表面贴装: | NO | 端子形式: | WIRE |
端子位置: | AXIAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
933498210133 | NXP |
获取价格 |
1A, 200V, SILICON, SIGNAL DIODE | |
933498220113 | NXP |
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1A, 400V, SILICON, SIGNAL DIODE | |
933498220133 | NXP |
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1A, 400V, SILICON, SIGNAL DIODE | |
933498230113 | NXP |
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1A, 600V, SILICON, SIGNAL DIODE | |
933498230133 | NXP |
获取价格 |
1A, 600V, SILICON, SIGNAL DIODE | |
933498240113 | NXP |
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1A, 800V, SILICON, SIGNAL DIODE | |
933498240133 | NXP |
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1A, 800V, SILICON, SIGNAL DIODE | |
933498250113 | NXP |
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DIODE 1 A, 1000 V, SILICON, SIGNAL DIODE, Signal Diode | |
933498250133 | NXP |
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DIODE 1 A, 1000 V, SILICON, SIGNAL DIODE, Signal Diode | |
933498980116 | NXP |
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TRANSISTOR 500 mA, 80 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92, PLASTIC, SPT, SC-43, 3 P |