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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | O-LALF-W2 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.50 | 风险等级： | 5.33 |
| Is Samacsys： | N | 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | SINGLE | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | ZENER DIODE | JEDEC-95代码： | DO-35 |
| JESD-30 代码： | O-LALF-W2 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 最高工作温度： | 200 °C |
| 封装主体材料： | GLASS | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | LONG FORM | 极性： | UNIDIRECTIONAL |
| 最大功率耗散： | 0.4 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 标称参考电压： | 2.4 V | 最大反向电流： | 50 µA |
| 表面贴装： | NO | 技术： | ZENER |
| 端子形式： | WIRE | 端子位置： | AXIAL |
| 电压温度Coeff-Max： | 最大电压容差： | 5% | |
| 工作测试电流： | 5 mA | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 933418060215 | NXP |
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TRANSISTOR 50 mA, 10 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, PLASTIC, SMD, 4 PIN, FET Gene |
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| 933418060235 | NXP |
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TRANSISTOR 50 mA, 10 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, PLASTIC, SMD, 4 PIN, FET Gene |
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| 933418070115 | NXP |
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TRANSISTOR 1 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, PLASTIC, MPT3, SMD, UPAK-3, BIP General P |
|
| 933418080115 | NXP |
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TRANSISTOR 1 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, PLASTIC, MPT3, SMD, UPAK-3, BIP General P |
|
| 933418100115 | NXP |
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TRANSISTOR 1 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, PLASTIC, MPT3, SMD, UPAK-3, BIP General P |
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| 933418110115 | NXP |
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TRANSISTOR 1 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, PLASTIC, MPT3, SMD, UPAK-3, BIP General P |
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| 933418120115 | NXP |
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TRANSISTOR 1 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, PLASTIC, MPT3, SMD, UPAK-3, BIP General P |
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| 933418120135 | NXP |
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TRANSISTOR 1 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, PLASTIC, MPT3, SMD, UPAK-3, BIP General P |
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| 933418140115 | NXP |
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TRANSISTOR 1 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, PLASTIC, MPT3, SMD, UPAK-3, BIP General P |
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| 933418140135 | NXP |
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TRANSISTOR 1 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, PLASTIC, MPT3, SMD, UPAK-3, BIP General P |
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