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930104702

更新时间： 2024-01-28 10:27:28

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爱特美尔 - ATMEL		存储内存集成电路静态存储器光电二极管异步传输模式 ATM
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Rad. Tolerant 128Kx8, 5-Volt Very Low Power CMOS SRAM

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930104702 技术参数

生命周期：	Not Recommended	包装说明：	0.400 INCH, FP-32
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	3A001.A.2.C
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.8
最长访问时间：	45 ns	JESD-30 代码：	R-PDFP-F32
长度：	20.825 mm	内存密度：	1048576 bit
内存集成电路类型：	STANDARD SRAM	内存宽度：	8
功能数量：	1	端子数量：	32
字数：	131072 words	字数代码：	128000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	125 °C
最低工作温度：	-55 °C	组织：	128KX8
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	QFF
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLATPACK
并行/串行：	PARALLEL	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	2.72 mm	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	MILITARY	端子形式：	FLAT
端子节距：	1.27 mm	端子位置：	DUAL
宽度：	10.415 mm	Base Number Matches：	1

930104702 数据手册

Read Cycle

Symbol

Parameter

65608-30

65608-45

Unit

Value

min

TAVAV

Read cycle time

max

min

TAVQV

Address access time

Address valid to low Z⁽¹⁾

Chip-select1 access time

CS1 low to low Z⁽¹⁾

CS1 high to high Z⁽¹⁾

Chip-select2 access time

CS2 high to low Z⁽¹⁾

CS2 low to high Z⁽¹⁾

Output Enable access time

OE low to low Z⁽¹⁾

TAVQX

max

min

TE1LQV

TE1LQX

TE1HQZ

TE2HQV

TE2HQX

TE2LQZ

TGLQV

max

min

max

min

TGLQX

TGHQZ

OE high to high Z⁽¹⁾

max

Note:

1. Parameters Guaranteed, not tested, with output loading 5 pF.

M65608E

4151N–AERO–04/09

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