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930104702

更新时间： 2024-02-26 23:24:04

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爱特美尔 - ATMEL		存储内存集成电路静态存储器光电二极管异步传输模式 ATM
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Rad. Tolerant 128Kx8, 5-Volt Very Low Power CMOS SRAM

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930104702 技术参数

生命周期：	Not Recommended	包装说明：	0.400 INCH, FP-32
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	3A001.A.2.C
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.8
最长访问时间：	45 ns	JESD-30 代码：	R-PDFP-F32
长度：	20.825 mm	内存密度：	1048576 bit
内存集成电路类型：	STANDARD SRAM	内存宽度：	8
功能数量：	1	端子数量：	32
字数：	131072 words	字数代码：	128000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	125 °C
最低工作温度：	-55 °C	组织：	128KX8
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	QFF
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLATPACK
并行/串行：	PARALLEL	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	2.72 mm	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	MILITARY	端子形式：	FLAT
端子节距：	1.27 mm	端子位置：	DUAL
宽度：	10.415 mm	Base Number Matches：	1

930104702 数据手册

M65608E

Data Retention Characteristics

Typical

Parameter

Description

Minimum

TA = 25 ⋅C

Maximum

Unit

V_CCfor data

retention

2.0

–

VCCDR

Chip

deselect to

data

0.0

–

TCDR

retention

time

Operation

recovery

time

TAVAV⁽¹⁾

–

Data

retention

current at

2.0V

–

0.1

150

µA

ICCDR1

Data

retention

current at

3.0V

ICCDR2⁽²⁾

–

0.2

200

µA

Notes: 1. TAVAV = Read Cycle Time

2. CS1 = V_CCor CS2 = CS1 = GND, Vin = GND/V_CC, this parameter is only tested at

_CC= 2V.

3. Parameters guaranteed but not tested

Write Cycle

Symbol

Parameter

65608-30

65608-45

Unit

Value

min

TAVAW

Write cycle time

Address set-up time

TAVWL

Address valid to end of

write

min

TAVWH

min

max

min

TDVWH

TE1LWH

TE2HWH

TWLQZ

TWLWH

Data set-up time

CS1 low to write end

CS2 high to write end

Write low to high Z⁽¹⁾

Write pulse width

Address hold from to

end of write

min

TWHAX

min

TWHDX

TWHQX

Data hold time

Write high to low Z⁽¹⁾

Note:

1. Parameters guaranteed, not tested, with output loading 5 pF.

4151N–AERO–04/09

1...4 5 678 9 10...16

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