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89LV1632RPQK-30

更新时间： 2024-02-03 08:03:24

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麦斯威 - MAXWELL		存储内存集成电路静态存储器
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12页	199K
描述
16 Megabit (512K x 32-Bit) Low Voltage MCM SRAM

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89LV1632RPQK-30 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	QFP	包装说明：	QFP,
针数：	68	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	3A001.A.2.C	HTS代码：	8542.32.00.41
风险等级：	5.84	Is Samacsys：	N
最长访问时间：	30 ns	JESD-30 代码：	S-CQFP-G68
长度：	37.9476 mm	内存密度：	16777216 bit
内存集成电路类型：	SRAM MODULE	内存宽度：	32
功能数量：	1	端子数量：	68
字数：	524288 words	字数代码：	512000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	125 °C
最低工作温度：	-55 °C	组织：	512KX32
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装代码：	QFP
封装形状：	SQUARE	封装形式：	FLATPACK
并行/串行：	PARALLEL	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	6.1976 mm	最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：	3 V	标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	MILITARY	端子形式：	GULL WING
端子节距：	1.27 mm	端子位置：	QUAD
宽度：	37.9476 mm	Base Number Matches：	1

89LV1632RPQK-30 数据手册

89LV1632

16 Megabit (512K x 32-Bit)Low Voltage MCM SRAM

TABLE 9. 89LV1632 WRITE CYCLE

(V_CC= 3.3+ 10%, T_A= -55 TO +125 ^°C, UNLESS OTHERWISE NOTED)

P^ARAMETER

SYMBOL

SUBGROUPS

MIN

TYP

MAX

UNITS

Write Cycle Time

-30

t_WC

9, 10, 11

Chip Select to End of Write

-30

t_CW

t_AS

t_AW

t_WP

9, 10, 11

Address Set-up Time

-30

Address Valid to End of Write

-30

Write Pulse Width (OE High)

-30

Write Pulse Width (OE Low)

-30

t_WP1

t_WR

t_WHZ

t_DW

t_DH

Write Recovery Time

-30

Write to Output High-Z

-30

Data to Write Time Overlap

-30

Data Hold from Write Time

-30

End Write to Output Low-Z

-30

t_OW

08.18.05 REV 3

All data sheets are subject to change without notice

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