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841N254AKIT

更新时间： 2024-01-26 02:04:34
品牌 Logo 应用领域
艾迪悌 - IDT 时钟
页数 文件大小 规格书
23页 480K
描述
FEMTOCLOCK? NG Crystal-to-LVDS/HCSL Clock Synthesizer

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841N254AKIT 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Active零件包装代码：VFQFPN
包装说明：HVQCCN,针数：32
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.39.00.01风险等级：5.33
Samacsys Confidence：3Samacsys Status：Released
2D Presentation：https://componentsearchengine.com/2D/0T/1912205.2.1.pngSchematic Symbol：https://componentsearchengine.com/symbol.php?partID=1912205
PCB Footprint：https://componentsearchengine.com/footprint.php?partID=19122053D View：https://componentsearchengine.com/viewer/3D.php?partID=1912205
Samacsys PartID：1912205Samacsys Image：https://componentsearchengine.com/Images/9/841N254BKILFT.jpg
Samacsys Thumbnail Image：https://componentsearchengine.com/Thumbnails/2/841N254BKILFT.jpgSamacsys Pin Count：33
Samacsys Part Category：Integrated CircuitSamacsys Package Category：Quad Flat No-Lead
Samacsys Footprint Name：NLG32P1Samacsys Released Date：2020-01-19 15:35:53
Is Samacsys：N其他特性：ALSO OPERATES AT 3.3 V SUPPLY
JESD-30 代码：S-XQCC-N32JESD-609代码：e3
长度：5 mm湿度敏感等级：3
端子数量：32最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C最大输出时钟频率：250 MHz
封装主体材料：UNSPECIFIED封装代码：HVQCCN
封装形状：SQUARE封装形式：CHIP CARRIER, HEAT SINK/SLUG, VERY THIN PROFILE
峰值回流温度（摄氏度）：260主时钟/晶体标称频率：25 MHz
座面最大高度：1 mm最大供电电压：2.625 V
最小供电电压：2.375 V标称供电电压：2.5 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：INDUSTRIAL端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：NO LEAD端子节距：0.5 mm
端子位置：QUAD处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
宽度：5 mmuPs/uCs/外围集成电路类型：CLOCK GENERATOR, OTHER
Base Number Matches：1

841N254AKIT 数据手册

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ICS841N254I Data Sheet  
FEMTOCLOCK® NG CRYSTAL-TO-LVDS/HCSL CLOCK SYNTHESIZER  
Absolute Maximum Ratings  
NOTE: Stresses beyond those listed under Absolute Maximum Ratings may cause permanent damage to the device.  
These ratings are stress specifications only. Functional operation of product at these conditions or any conditions beyond  
those listed in the DC Characteristics or AC Characteristics is not implied. Exposure to absolute maximum rating conditions for  
extended periods may affect product reliability.  
Item  
Rating  
Supply Voltage, VDD  
3.6V  
Inputs, VI  
XTAL_IN  
0V to 2V  
Other Inputs  
-0.5V to VDD + 0.5V  
Outputs, VO (HCSL)  
-0.5V to VDD + 0.5V  
Outputs, IO (LVDS)  
Continuous Current  
Surge Current  
10mA  
15mA  
Package Thermal Impedance, θJA  
37.7°C/W (0 mps)  
Storage Temperature, TSTG  
-65°C to 150°C  
DC Electrical Characteristics  
Table 4A. Power Supply DC Characteristics, VDD = VDDOA = VDDOB = 3.3V 5% or 2.5V 5%, TA = -40°C to 85°C  
Symbol  
Parameter  
Test Conditions  
Minimum  
3.135  
Typical  
3.3  
Maximum  
3.465  
2.625  
VDD  
Units  
V
VDD  
Core Supply Voltage  
2.375  
2.5  
V
VDD – 0.30  
VDD – 0.30  
3.135  
3.3  
V
VDDA  
Analog Supply Voltage  
2.5  
VDD  
V
3.3  
3.465  
2.625  
30  
V
VDDOA&B Output Supply Voltage  
2.375  
2.5  
V
IDDA  
Analog Supply Current  
Power Supply Current  
Output Supply Current  
mA  
mA  
mA  
IDD  
113  
IDDOA&B  
72  
Table 4B. LVCMOS/LVTTL Input DC Characteristics, VDD = VDDOA = VDDOB = 3.3V 5% or 2.5V 5%, TA = -40°C to 85°C  
Symbol  
Parameter  
Test Conditions  
DD = 3.3V  
DD = 2.5V  
DD = 3.3V  
DD = 2.5V  
Minimum  
Typical  
Maximum  
VDD + 0.3  
VDD + 0.3  
0.8  
Units  
V
2
V
V
V
V
VIH  
Input High Voltage  
V
1.7  
-0.3  
-0.3  
V
VIL  
Input Low Voltage  
Input High Current  
V
0.7  
nOEA, nOEB,  
BYPASS, REF_SEL,  
REF_CLK, F_SEL[1:0]  
VDD = VIN = 2.625V or  
3.465V  
IIH  
150  
µA  
µA  
nOEA, nOEB,  
BYPASS, REF_SEL,  
REF_CLK, F_SEL[1:0]  
VDD = 2.625V or 3.465V,  
IIL  
Input Low Current  
-5  
VIN = 0V  
ICS841N254AKI REVISION A APRIL 18, 2011  
4
©2011 Integrated Device Technology, Inc.  
1234567...23

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