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7MBR50NE-060

更新时间： 2024-02-23 10:26:52

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富士电机 - FUJI		晶体晶体管功率控制双极性晶体管栅局域网
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8页	232K
描述
Power Integrated Module (PIM)

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7MBR50NE-060 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-XUFM-X21
针数：	21	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.84	外壳连接：	ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：	50 A	集电极-发射极最大电压：	600 V
配置：	COMPLEX	门极-发射极最大电压：	20 V
JESD-30 代码：	R-XUFM-X21	元件数量：	7
端子数量：	21	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	N-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装：	NO	端子形式：	UNSPECIFIED
端子位置：	UPPER	晶体管应用：	POWER CONTROL
晶体管元件材料：	SILICON	VCEsat-Max：	2.9 V
Base Number Matches：	1

7MBR50NE-060 数据手册

Collector current vs. Collector-Emitter voltage

T_j=125°C

Collector current vs. Collector-Emitter voltage

T_j=25°C

125

100

125

100

V_GE=20V,15V, 12V,

V_GE=20V,15V,12V,

10V

Collector-Emitter voltage : V_CE[V]

Collector-Emitter vs. Gate-Emitter voltage

T_j=25°C

Collector-Emitter vs. Gate-Emitter voltage

T_j=125°C

I_C=

100A

50A

25A

Gate-Emitter voltage : V_GE[V]

Switching time vs. Collector current

V_CC=300V, R_G=51W, V_GE=±15V, T_j=125°C

V_CC=300V, R_G=51_W, V_GE=±15V, T_j=25°C

1000

100

1000

100

t_off

t_on

t_off

t_r

t_f

t_r

t_f

Collector current : I_C[A]

1 234 5 6 7 8

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