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7MBR50SB120-50

更新时间: 2024-01-09 10:56:41
品牌 Logo 应用领域
富士电机 - FUJI 局域网功率控制晶体管
页数 文件大小 规格书
16页 815K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 75A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, ROHS COMPLIANT PACKAGE-24

7MBR50SB120-50 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Obsolete包装说明:ROHS COMPLIANT PACKAGE-24
针数:24Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99风险等级:5.79
外壳连接:ISOLATED最大集电极电流 (IC):75 A
集电极-发射极最大电压:1200 V配置:COMPLEX
JESD-30 代码:R-XUFM-X24元件数量:7
端子数量:24封装主体材料:UNSPECIFIED
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:N-CHANNEL
表面贴装:NO端子形式:UNSPECIFIED
端子位置:UPPER处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:POWER CONTROL晶体管元件材料:SILICON
标称断开时间 (toff):530 ns标称接通时间 (ton):600 ns
Base Number Matches:1

7MBR50SB120-50 数据手册

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SPECIFICATION  
Power Integrated Module  
Device Name :  
(RoHS compliant product)  
Type Name  
:
7MBR50SB120-50  
MS6M 0872  
Spec. No. :  
Apr. 26 05 K.Muramatsu  
a
T.Hosen  
1
Apr. 26 05 S.Ogawa  
MS6M0872  
K.Yamada  
16  

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