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7MBR100VZ120-50

更新时间： 2024-01-30 09:12:53

品牌	Logo	应用领域
富士电机 - FUJI		局域网栅功率控制晶体管
页数	文件大小	规格书
8页	686K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 100A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, ROHS COMPLIANT PACKAGE-32

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技术参数
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7MBR100VZ120-50 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-XUFM-X20	针数：	32
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.72
外壳连接：	ISOLATED	最大集电极电流 (IC)：	100 A
集电极-发射极最大电压：	1200 V	配置：	COMPLEX
JESD-30 代码：	R-XUFM-X20	元件数量：	7
端子数量：	20	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	UNSPECIFIED	端子位置：	UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	POWER CONTROL
晶体管元件材料：	SILICON	标称断开时间 (toff)：	530 ns
标称接通时间 (ton)：	390 ns	Base Number Matches：	1

7MBR100VZ120-50 数据手册

7MBR100VZ120-50

IGBT Modules

[ Inverter ]

Switching time vs. Collector current (typ.)

Vcc=600V, VGE=±15V, Rg=1.6Ω, Tj= 125°C

Vcc=600V, VGE=±15V, Rg=1.6Ω, Tj= 150°C

10000

1000

100

1000

100

toff

ton

toff

ton

100

200

300

100

200

300

Collector current: IC [A]

[ Inverter ]

Switching time vs. gate resistance (typ.)

Vcc=600V, Ic=100A, VGE=±15V, Tj= 125°C

10000

Switching loss vs. Collector current (typ.)

Vcc=600V, VGE=±15V, Rg=1.6Ω

Eoff(150°C)

Eon(150°C)

Eoff(125°C)

Eon(125°C)

1000

100

toff

ton

Err(150°C)

Err(125°C)

0.1

1.0

10.0

100.0

100

200

300

Collector current: IC [A]

Gate resistance : Rg [Ω]

[ Inverter ]

Switching loss vs. gate resistance (typ.)

Vcc=600V, Ic=100A, VGE=±15V

Reverse bias safe operating area (max.)

+VGE=15V,-VGE <= 15V, RG >= 1.6Ω ,Tj <= 125°C

250

200

150

100

Eon(150°C)

Eon(125°C)

Eoff(150°C)

Eoff(125°C)

RBSOA

(Repetitive pulse)

Err(150°C)

Err(125°C)

400

800

1200

100

Collector-Emitter voltage : VCE [V]

Gate resistance : Rg [Ω]

1 2 345 6 7 8

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