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7MBR100VY060-50

更新时间： 2024-01-15 05:37:00

品牌	Logo	应用领域
富士电机 - FUJI		局域网栅功率控制晶体管
页数	文件大小	规格书
8页	707K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 100A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, ROHS COMPLIANT PACKAGE-22

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7MBR100VY060-50 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-XUFM-X20	针数：	22
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.73
外壳连接：	ISOLATED	最大集电极电流 (IC)：	100 A
集电极-发射极最大电压：	600 V	配置：	COMPLEX
JESD-30 代码：	R-XUFM-X20	元件数量：	7
端子数量：	20	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	UNSPECIFIED	端子位置：	UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	POWER CONTROL
晶体管元件材料：	SILICON	标称断开时间 (toff)：	520 ns
标称接通时间 (ton)：	360 ns	Base Number Matches：	1

7MBR100VY060-50 数据手册

7MBR100VY060-50

IGBT Modules

Characteristics (Representative)

[ Inverter ]

Collector current vs. Collector-Emitter voltage (typ.)

Tj= 25^oC / chip

[ Inverter ]

Collector current vs. Collector-Emitter voltage (typ.)

Tj= 150^oC / chip

200

150

100

200

15V

V_GE=20V

15V

V_GE=20V

12V

150

100

10V

Collector-Emitter voltage: V_CE[V]

[ Inverter ]

Collector current vs. Collector-Emitter voltage (typ.)

V_GE=15V / chip

Collector-Emitter voltage vs. Gate-Emitter voltage (typ.)

Tj= 25^oC / chip

200

Tj=25°C

Tj=150°C

Tj=125°C

150

100

Ic=200A

Ic=100A

Ic=50A

Collector-Emitter voltage: V_CE[V]

Gate - Emitter voltage: V_GE[V]

[ Inverter ]

Capacitance vs. Collector-Emitter voltage (typ.)

V_GE=0V, f= 1MHz, Tj= 25^oC

Dynamic gate charge (typ.)

Vcc=300V, Ic=100A, Tj= 25°C

100.0

10.0

1.0

Cies

V_GE

Cres

Coes

0.1

V_CE

0.0

200

400

600

Collector - Emitter voltage: V_CE[V]

Gate charge: Qg [nC]

1 234 5 6 7 8

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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