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7MBP100VFN060-50

更新时间： 2024-03-03 10:09:43

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富士电机 - FUJI		栅
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12页	941K
描述
IPM(Inv.+Gate Driver) P636

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7MBP100VFN060-50 数据手册

7MBP100VFN060-50

IGBT Modules

Switching Loss vs. Collector Current (typ.)

Reversed biased safe operating area

Vcc=15V,Tj≦125℃[Main Terminal](min.)

VDC=300V,VCC=15V

200

150

100

Tj=125℃

Tj=25℃

RBSOA

(Repetitive pulse)

100 200 300 400 500 600 700

Collector-Emitter voltage ： VCE [ V ]

100

Collector current ： IC [ A ]

Power derating for IGBT (max.)

[per device]

Power derating for FWD (max.)

[per device]

400

200

300

200

100

150

100

100 125 150

Case Temperature ： TC [ ℃ ]

Transient thermal resistance (max.)

FWD

0.1

IGBT

0.01

0.001

0.01

0.1

Pulse width ： PW [ sec ]

FM6M1590

2014/11

1...7 8 91011 12

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