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79LV2040RPFH-20

更新时间： 2024-11-10 22:26:39

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麦斯威 - MAXWELL		可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器
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20 Megabit (512K x 40-Bit) Low Voltage EEPROM MCM

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79LV2040RPFH-20 技术参数

生命周期：	Transferred	零件包装代码：	DFP
包装说明：	DFP, FL100,.9,25	针数：	100
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	3A001.A.2.C
HTS代码：	8542.32.00.51	风险等级：	5.42
最长访问时间：	200 ns	命令用户界面：	NO
数据轮询：	YES	JESD-30 代码：	R-PDFP-F100
长度：	34.6964 mm	内存密度：	20971520 bit
内存集成电路类型：	EEPROM	内存宽度：	40
功能数量：	1	端子数量：	100
字数：	524288 words	字数代码：	512000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	125 °C
最低工作温度：	-55 °C	组织：	512KX40
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	DFP
封装等效代码：	FL100,.9,25	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLATPACK	页面大小：	128 words
并行/串行：	PARALLEL	电源：	3.3 V
编程电压：	3 V	认证状态：	Not Qualified
就绪/忙碌：	YES	座面最大高度：	12.7 mm
最大待机电流：	0.021 A	子类别：	EEPROMs
最大压摆率：	0.075 mA	最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：	3 V	标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	MILITARY	端子形式：	FLAT
端子节距：	0.635 mm	端子位置：	DUAL
切换位：	NO	总剂量：	100k Rad(Si) V
宽度：	22.7838 mm	最长写入周期时间 (tWC)：	15 ms
写保护：	HARDWARE/SOFTWARE	Base Number Matches：	1

79LV2040RPFH-20 数据手册

79LV2040

20 Megabit (512K x 40-Bit) Low

Low Voltage EEPROM MCM

Logic Diagram

DESCRIPTION:

FEATURES:

• 512k x 40-bit EEPROM MCM

• R^AD-PAK® radiation-hardened against natural

• space radiation

Maxwell Technologies’ 79LV2040 multi-chip module (MCM)

memory features a greater than 100 krad (Si) total dose toler-

ance, dependent upon orbit. Using Maxwell Technologies’ pat-

ented radiation-hardened R^AD-PAK® MCM packaging

technology, the 79LV2040 is the first radiation-hardened 8

megabit MCM EEPROM for space application. The 79LV2040

uses twenty 1 Megabit high speed CMOS die to yield a 20

megabit product. The 79LV2040 is capable of in-system elec-

trical byte and page programmability. It has a 128 x 40 page

programming function to make the erase and write operations

faster. It also features Data Polling and a Ready/Busy signal to

indicate the completion of erase and programming operations.

In the 79LV2040, hardware data protection is provided with

the RES pin, in addition to noise protection on the WE signal

and write inhibit on power on and off. Software data protection

is implemented using the JEDEC optional standard algorithm.

• Total dose hardness:

- >100 krad (Si)

- Dependent upon orbit

• Excellent Single event effects

- SEL > 84 MeV/mg/cm²

- SEU > 37 MeV/mg/cm²read mode

- SEU = 11.4 MeV/mg/cm²write mode

• High endurance

- 10,000 cycles (Page Programming Mode)

- 10 year data retention

• Page Write Mode: 128 Dword Page

• High Speed:

- 200 and 250 ns maximum access times

• Automatic programming

- 15 ms automatic Page/Dword write

• Low power dissipation

Maxwell Technologies' patented R^AD-PAK® packaging technol-

ogy incorporates radiation shielding in the microcircuit pack-

age. It eliminates the need for box shielding while providing

the required radiation shielding for a lifetime in orbit or space

mission. In a GEO orbit, R^AD-PAK provides greater than 100

krad (Si) radiation dose tolerance. This product is available

with screening up to Maxwell Technologies self-defined Class

- 100 mW/MHz active current

- 1.5 mW standby current

09.07.05 Rev 1

All data sheets are subject to change without notice

(858) 503-3300 - Fax: (858) 503-3301 - www.maxwell.com

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