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74HCT30D-Q100

更新时间： 2024-02-02 10:45:05

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描述
8-input NAND gate

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数据手册

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74HCT30D-Q100 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	SOIC	包装说明：	3.90 MM, PLASTIC, MS-012, SOT108-1, SOP-14
针数：	14	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.83

74HCT30D-Q100 数据手册

74HC30-Q100; 74HCT30-Q100

Nexperia

8-input NAND gate

8. Recommended operating conditions

Table 5.

Recommended operating conditions

Voltages are referenced to GND (ground = 0 V)

Symbol Parameter Conditions

74HC30-Q100

74HCT30-Q100

Unit

Min

Typ

Max

Min

Typ

Max

V_CC

V_I

supply voltage

2.0

5.0

6.0

V_CC

+125

625

139

4.5

5.0

5.5

V_CC

input voltage

V_O

output voltage

T_amb

t/V

ambient temperature

input transition rise and fall rate V_CC= 2.0 V

V_CC= 4.5 V

40

+125 C

1.67

ns/V

139 ns/V

V_CC= 6.0 V

ns/V

9. Static characteristics

Table 6.

Static characteristics

At recommended operating conditions; voltages are referenced to GND (ground = 0 V).

Symbol Parameter

Conditions

25 C

40 C to +85 C 40 C to +125 C Unit

Min Typ Max

Min

Max

Min

Max

74HC30-Q100

V_IH

HIGH-level

input voltage

V_CC= 2.0 V

1.5

1.2

2.4

3.2

0.8

1.5

V_CC= 4.5 V

3.15

V_CC= 6.0 V

4.2

V_IL

LOW-level

input voltage

V_CC= 2.0 V

0.5

1.35

1.8

0.5

1.35

1.8

V_CC= 4.5 V

2.1 1.35

V_CC= 6.0 V

2.8

1.8

V_OH

HIGH-level

V_I= V_IHor V_IL

output voltage

I_O= 20 A; V_CC= 2.0 V

I_O= 20 A; V_CC= 4.5 V

I_O= 20 A; V_CC= 6.0 V

1.9

4.4

5.9

2.0

4.5

6.0

1.9

4.4

1.9

4.4

5.9

3.7

5.2

5.9

I_O= 4.0 mA; V_CC= 4.5 V 3.98 4.32

I_O= 5.2 mA; V_CC= 6.0 V 5.48 5.81

V_I= V_IHor V_IL

3.84

5.34

V_OL

LOW-level

output voltage

I_O= 20 A; V_CC= 2.0 V

I_O= 20 A; V_CC= 4.5 V

I_O= 20 A; V_CC= 6.0 V

I_O= 4.0 mA; V_CC= 4.5 V

I_O= 5.2 mA; V_CC= 6.0 V

0.1

0.4

1

0.1

0.15 0.26

0.16 0.26

0.33

1

I_I

input leakage

current

V_I= V_CCor GND;

V_CC= 6.0 V

0.1

A

I_CC

supply current V_I= V_CCor GND; I_O= 0 A;

V_CC= 6.0 V

2.0

A

74HC_HCT30_Q100

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Product data sheet

Rev. 1 — 30 January 2013

5 of 14

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