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| Source Url Status Check Date： | 2013-06-14 00:00:00 | 是否无铅： | 不含铅 |
| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | DIP, DIP14,.3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| HTS代码： | 8542.39.00.01 | 风险等级： | 7.81 |
| 系列： | HCT | JESD-30 代码： | R-PDIP-T14 |
| JESD-609代码： | e4 | 长度： | 19.025 mm |
| 负载电容（CL）： | 50 pF | 逻辑集成电路类型： | NAND GATE |
| 最大I（ol）： | 0.004 A | 功能数量： | 1 |
| 输入次数： | 8 | 端子数量： | 14 |
| 最高工作温度： | 125 °C | 最低工作温度： | -40 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | DIP |
| 封装等效代码： | DIP14,.3 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 电源： | 5 V | Prop。Delay @ Nom-Sup： | 42 ns |
| 传播延迟（tpd）： | 42 ns | 认证状态： | Not Qualified |
| 施密特触发器： | NO | 座面最大高度： | 4.2 mm |
| 子类别： | Gates | 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V |
| 表面贴装： | NO | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | AUTOMOTIVE | 端子面层： | NICKEL PALLADIUM GOLD |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子节距： | 2.54 mm |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 宽度： | 7.62 mm | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| CD74HCT30E | TI |
功能相似  |
High Speed CMOS Logic 8-Input NAND Gate |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 74HCT30PW | NXP |
获取价格 |
8-input NAND gate |
|
| 74HCT30PW | NEXPERIA |
获取价格 |
8-input NAND gateProduction |
|
| 74HCT30PW,112 | NXP |
获取价格 |
74HC(T)30 - 8-input NAND gate TSSOP 14-Pin |
|
| 74HCT30PW,118 | NXP |
获取价格 |
74HC(T)30 - 8-input NAND gate TSSOP 14-Pin |
|
| 74HCT30PW-Q100 | NEXPERIA |
获取价格 |
8-input NAND gate |
|
| 74HCT30PW-Q100J | NXP |
获取价格 |
74HC(T)30-Q100 - 8-input NAND gate TSSOP 14-Pin |
|
| 74HCT32 | SLS |
获取价格 |
Quad 2-Input OR Gate(High-Performance Silicon-Gate CMOS) |
|
| 74HCT32 | NXP |
获取价格 |
Quad 2-input OR gate |
|
| 74HCT32 | ONSEMI |
获取价格 |
Quad 2−Input OR Gate with LSTTL−Compatible Inputs |
|
| 74HCT32 | DIODES |
获取价格 |
QUADRUPLE 2-INPUT OR GATES |
|
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