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74HCT14DTR2G PDF预览

74HCT14DTR2G

更新时间： 2024-02-17 02:10:02
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 触发器逻辑集成电路光电二极管栅
页数 文件大小 规格书
8页 125K
描述
Hex Schmitt−Trigger Inverter with LSTTL Compatible Inputs High−Performance Silicon−Gate CMOS

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74HCT14DTR2G 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TSSOP包装说明：TSSOP, TSSOP14,.25
针数：14Reach Compliance Code：unknown
HTS代码：8542.39.00.01Factory Lead Time：1 week
风险等级：7.03系列：HCT
JESD-30 代码：R-PDSO-G14JESD-609代码：e4
长度：5 mm负载电容（CL）：50 pF
逻辑集成电路类型：INVERTER最大I（ol）：0.004 A
湿度敏感等级：1功能数量：6
输入次数：1端子数量：14
最高工作温度：125 °C最低工作温度：-55 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：TSSOP
封装等效代码：TSSOP14,.25封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH包装方法：TAPE AND REEL
峰值回流温度（摄氏度）：260电源：5 V
Prop。Delay @ Nom-Sup：4.8 ns传播延迟（tpd）：48 ns
认证状态：Not Qualified施密特触发器：YES
座面最大高度：1.2 mm子类别：Gates
最大供电电压 (Vsup)：5.5 V最小供电电压 (Vsup)：4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：5 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：MILITARY
端子面层：Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)端子形式：GULL WING
端子节距：0.65 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：40宽度：4.4 mm

74HCT14DTR2G 数据手册

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74HCT14  
MAXIMUM RATINGS  
Symbol  
Parameter  
Value  
Unit  
V
V
DC Supply Voltage  
(Referenced to GND)  
*0.5 to )7.0  
CC  
V
DC Input Voltage  
(Referenced to GND)  
(Referenced to GND)  
*0.5 to V )0.5  
V
I
O
CC  
V
DC Output Voltage  
*0.5 to V )0.5  
V
CC  
I
DC Input Diode Current  
DC Output Diode Current  
DC Output Sink Current  
DC Supply Current per Supply Pin  
DC Ground Current per Ground Pin  
Storage Temperature Range  
$20  
$25  
mA  
mA  
mA  
mA  
mA  
_C  
IK  
I
OK  
I
$25  
O
I
$50  
CC  
I
$50  
GND  
T
*65 to )150  
260  
STG  
T
Lead Temperature, 1 mm from Case for 10 Seconds  
Junction Temperature under Bias  
Thermal Resistance  
_C  
L
T
)150  
_C  
_C/W  
J
q
SOIC  
TSSOP  
125  
170  
JA  
P
Power Dissipation in Still Air at 85_C  
SOIC  
TSSOP  
500  
450  
mW  
D
MSL  
Moisture Sensitivity  
Flammability Rating  
ESD Withstand Voltage  
Level 1  
F
Oxygen Index: 30% − 35%  
UL 94 V−0 @ 0.125 in  
R
V
Human Body Model (Note 1)  
Machine Model (Note 2)  
>2000  
>200  
V
ESD  
I
Latchup Performance  
Above V and Below GND at 85_C (Note 3)  
$300  
mA  
Latchup  
CC  
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum Ratings are stress ratings only. Functional operation above the  
Recommended Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the Recommended Operating Conditions may affect  
device reliability.  
1. Tested to EIA/JESD22−A114−A.  
2. Tested to EIA/JESD22−A115−A.  
3. Tested to EIA/JESD78.  
4. For high frequency or heavy load considerations, see the ON Semiconductor High−Speed CMOS Data Book (DL129/D).  
RECOMMENDED OPERATING CONDITIONS  
Symbol  
Parameter  
Min  
4.5  
0
Max  
Unit  
V
V
DC Supply Voltage  
(Referenced to GND)  
(Referenced to GND)  
5.5  
CC  
V , V  
DC Input Voltage, Output Voltage  
V
CC  
V
I
O
T
Operating Temperature, All Package Types  
Input Rise and Fall Time (Figure 1)  
*55  
−
)125  
_C  
ns  
A
t , t  
r
(Note 5)  
f
5. No Limit when V [ 50% V , I > 1 mA.  
I
CC CC  
6. Unused inputs may not be left open. All inputs must be tied to a high−logic voltage level or a low−logic input voltage level.  
http://onsemi.com  
3
 
12345678

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