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74HC32A

更新时间: 2024-02-18 02:18:46
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安森美 - ONSEMI
页数 文件大小 规格书
9页 154K
描述
Quad 2−Input OR Gate High−Performance Silicon−Gate CMOS

74HC32A 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Obsolete
包装说明:TSSOP,Reach Compliance Code:compliant
HTS代码:8542.39.00.01风险等级:5.58
系列:HC/UHJESD-30 代码:R-PDSO-G14
JESD-609代码:e4长度:5 mm
逻辑集成电路类型:OR GATE湿度敏感等级:1
功能数量:4输入次数:2
端子数量:14最高工作温度:125 °C
最低工作温度:-40 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:TSSOP封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH峰值回流温度(摄氏度):260
传播延迟(tpd):135 ns座面最大高度:1.1 mm
最大供电电压 (Vsup):6 V最小供电电压 (Vsup):2 V
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:AUTOMOTIVE
端子面层:Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)端子形式:GULL WING
端子节距:0.65 mm端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:30宽度:4.4 mm
Base Number Matches:1

74HC32A 数据手册

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MC74HC32A  
PACKAGE DIMENSIONS  
SOIC14  
CASE 751A03  
ISSUE H  
NOTES:  
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER  
ANSI Y14.5M, 1982.  
2. CONTROLLING DIMENSION: MILLIMETER.  
3. DIMENSIONS A AND B DO NOT INCLUDE  
MOLD PROTRUSION.  
A−  
14  
8
4. MAXIMUM MOLD PROTRUSION 0.15 (0.006)  
PER SIDE.  
5. DIMENSION D DOES NOT INCLUDE  
DAMBAR PROTRUSION. ALLOWABLE  
DAMBAR PROTRUSION SHALL BE 0.127  
(0.005) TOTAL IN EXCESS OF THE D  
DIMENSION AT MAXIMUM MATERIAL  
CONDITION.  
B−  
P 7 PL  
M
M
B
0.25 (0.010)  
7
1
G
MILLIMETERS  
DIM MIN MAX  
INCHES  
MIN MAX  
F
R X 45  
_
C
A
B
C
D
F
G
J
K
M
P
R
8.55  
3.80  
1.35  
0.35  
0.40  
8.75 0.337 0.344  
4.00 0.150 0.157  
1.75 0.054 0.068  
0.49 0.014 0.019  
1.25 0.016 0.049  
0.050 BSC  
0.25 0.008 0.009  
0.25 0.004 0.009  
T−  
SEATING  
PLANE  
J
M
K
1.27 BSC  
D 14 PL  
0.19  
0.10  
0
M
S
S
0.25 (0.010)  
T B  
A
7
0
7
_
_
_
_
5.80  
0.25  
6.20 0.228 0.244  
0.50 0.010 0.019  
SOLDERING FOOTPRINT*  
7X  
7.04  
14X  
1.52  
1
14X  
0.58  
1.27  
PITCH  
DIMENSIONS: MILLIMETERS  
*For additional information on our PbFree strategy and soldering  
details, please download the ON Semiconductor Soldering and  
Mounting Techniques Reference Manual, SOLDERRM/D.  
http://onsemi.com  
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