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74HC32A

更新时间： 2024-02-26 22:45:11
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 栅
页数 文件大小 规格书
9页 154K
描述
Quad 2−Input OR Gate High−Performance Silicon−Gate CMOS

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74HC32A 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：TSSOP,Reach Compliance Code：compliant
HTS代码：8542.39.00.01风险等级：5.58
系列：HC/UHJESD-30 代码：R-PDSO-G14
JESD-609代码：e4长度：5 mm
逻辑集成电路类型：OR GATE湿度敏感等级：1
功能数量：4输入次数：2
端子数量：14最高工作温度：125 °C
最低工作温度：-40 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：TSSOP封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH峰值回流温度（摄氏度）：260
传播延迟（tpd）：135 ns座面最大高度：1.1 mm
最大供电电压 (Vsup)：6 V最小供电电压 (Vsup)：2 V
标称供电电压 (Vsup)：5 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：AUTOMOTIVE
端子面层：Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)端子形式：GULL WING
端子节距：0.65 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：30宽度：4.4 mm
Base Number Matches：1

74HC32A 数据手册

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MC74HC32A  
DC CHARACTERISTICS (Voltages Referenced to GND)  
Guaranteed Limit  
V
CC  
Symbol  
Parameter  
Condition  
−55 to 25°C ≤85°C ≤125°C Unit  
V
V
Minimum High−Level Input Voltage  
V
= 0.1V or V −0.1V  
2.0  
3.0  
4.5  
6.0  
1.50  
2.10  
3.15  
4.20  
1.50  
2.10  
3.15  
4.20  
1.50  
2.10  
3.15  
4.20  
V
V
V
IH  
out  
CC  
|I | ≤ 20mA  
out  
V
Maximum Low−Level Input Voltage  
V
out  
= 0.1V or V − 0.1V  
2.0  
3.0  
4.5  
6.0  
0.50  
0.90  
1.35  
1.80  
0.50  
0.90  
1.35  
1.80  
0.50  
0.90  
1.35  
1.80  
IL  
CC  
|I | ≤ 20mA  
out  
V
OH  
Minimum High−Level Output  
Voltage  
V
in  
= V or V  
2.0  
4.5  
6.0  
1.9  
4.4  
5.9  
1.9  
4.4  
5.9  
1.9  
4.4  
5.9  
IH  
IL  
IL  
IL  
IL  
|I | ≤ 20mA  
out  
V
=V or V  
IH  
|I | ≤ 2.4mA  
3.0  
4.5  
6.0  
2.48  
3.98  
5.48  
2.34  
3.84  
5.34  
2.20  
3.70  
5.20  
in  
in  
out  
|I | ≤ 4.0mA  
out  
|I | ≤ 5.2mA  
out  
V
OL  
Maximum Low−Level Output  
Voltage  
V
= V or V  
2.0  
4.5  
6.0  
0.1  
0.1  
0.1  
0.1  
0.1  
0.1  
0.1  
0.1  
0.1  
V
IH  
|I | ≤ 20mA  
out  
V
= V or V  
|I | ≤ 2.4mA  
3.0  
4.5  
6.0  
0.26  
0.26  
0.26  
0.33  
0.33  
0.33  
0.40  
0.40  
0.40  
in  
in  
IH  
out  
|I | ≤ 4.0mA  
out  
|I | ≤ 5.2mA  
out  
I
in  
Maximum Input Leakage Current  
V
V
= V or GND  
6.0  
6.0  
±0.1  
±1.0  
±1.0  
mA  
mA  
CC  
I
Maximum Quiescent Supply  
Current (per Package)  
= V or GND  
1.0  
10  
40  
CC  
in  
CC  
I
= 0mA  
out  
NOTE: Information on typical parametric values can be found in Chapter 2 of the ON Semiconductor High−Speed CMOS Data Book (DL129/D).  
AC CHARACTERISTICS (C = 50pF, Input t = t = 6ns)  
L
r
f
Guaranteed Limit  
V
CC  
Symbol  
Parameter  
−55 to 25°C  
≤85°C  
≤125°C  
Unit  
V
t
t
,
Maximum Propagation Delay, Input A or B to Output Y  
(Figures 1 and 2)  
2.0  
3.0  
4.5  
6.0  
75  
30  
15  
13  
95  
40  
19  
16  
110  
55  
22  
ns  
PLH  
PHL  
19  
t
t
,
Maximum Output Transition Time, Any Output  
(Figures 1 and 2)  
2.0  
3.0  
4.5  
6.0  
75  
27  
15  
13  
95  
32  
19  
16  
110  
36  
22  
ns  
TLH  
THL  
19  
C
Maximum Input Capacitance  
10  
10  
10  
pF  
in  
NOTE: For propagation delays with loads other than 50 pF, and information on typical parametric values, see Chapter 2 of the ON  
Semiconductor High−Speed CMOS Data Book (DL129/D).  
Typical @ 25°C, V = 5.0 V, V = 0 V  
CC  
EE  
20  
C
Power Dissipation Capacitance (Per Buffer)*  
pF  
PD  
2
* Used to determine the no−load dynamic power consumption: P = C  
V
f + I  
V
. For load considerations, see Chapter 2 of the  
D
PD CC  
CC CC  
ON Semiconductor High−Speed CMOS Data Book (DL129/D).  
http://onsemi.com  
4
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