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74AUP1G885DC-G

更新时间： 2024-02-28 23:06:54

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恩智浦 - NXP		栅输入元件光电二极管逻辑集成电路石英晶振触发器
页数	文件大小	规格书
19页	88K
描述
IC AUP/ULP/V SERIES, DUAL 3-INPUT XOR GATE, PDSO8, 2.30 MM, GREEN, PLASTIC, MO-187, SOT-765-1, VSSOP-8, Gate

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74AUP1G885DC-G 技术参数

Source Url Status Check Date：	2013-06-14 00:00:00	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TSSOP
包装说明：	2.30 MM, GREEN, PLASTIC, MO-187, SOT-765-1, VSSOP-8	针数：	8
Reach Compliance Code：	unknown	HTS代码：	8542.39.00.01
风险等级：	5.45	系列：	AUP/ULP/V
JESD-30 代码：	R-PDSO-G8	JESD-609代码：	e4
长度：	2.3 mm	负载电容（CL）：	30 pF
逻辑集成电路类型：	XOR GATE	最大I（ol）：	0.0017 A
湿度敏感等级：	1	功能数量：	2
输入次数：	3	端子数量：	8
最高工作温度：	125 °C	最低工作温度：	-40 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	VSSOP
封装等效代码：	TSSOP8,.12,20	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, VERY THIN PROFILE, SHRINK PITCH	包装方法：	TAPE AND REEL
峰值回流温度（摄氏度）：	260	电源：	1.2/3.3 V
Prop。Delay @ Nom-Sup：	23.7 ns	传播延迟（tpd）：	23.7 ns
认证状态：	Not Qualified	施密特触发器：	NO
座面最大高度：	1 mm	子类别：	Gates
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	0.8 V
标称供电电压 (Vsup)：	1.2 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	AUTOMOTIVE
端子面层：	NICKEL PALLADIUM GOLD	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.5 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	宽度：	2 mm
Base Number Matches：	1

74AUP1G885DC-G 数据手册

74AUP1G885

NXP Semiconductors

Low-power dual function gate

13. Package outline

VSSOP8: plastic very thin shrink small outline package; 8 leads; body width 2.3 mm

SOT765-1

(A )

pin 1 index

detail X

2.5

5 mm

scale

DIMENSIONS (mm are the original dimensions)

(1)

(2)

(1)

UNIT

max.

0.15

0.00

0.85

0.60

0.27

0.17

0.23

0.08

2.1

1.9

2.4

2.2

3.2

3.0

0.40

0.15

0.21

0.19

0.4

0.1

8°

0°

0.5

0.12

0.4

0.2

0.13

0.1

Notes

1. Plastic or metal protrusions of 0.15 mm maximum per side are not included.

2. Plastic or metal protrusions of 0.25 mm maximum per side are not included.

REFERENCES

OUTLINE

EUROPEAN

PROJECTION

ISSUE DATE

VERSION

IEC

JEDEC

JEITA

02-06-07

SOT765-1

MO-187

Fig 8. Package outline SOT765-1 (VSSOP8)

74AUP1G885_5

Product data sheet

Rev. 05 — 26 June 2009

13 of 19

1...10 11 121314 15 16...19

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