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74AUP1G57GM,132

更新时间： 2025-10-06 14:40:15

品牌	Logo	应用领域
恩智浦 - NXP		PC 光电二极管逻辑集成电路
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19页	90K
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74AUP1G57 - Low-power configurable multiple function gate SON 6-Pin

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74AUP1G57GM,132 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	SON	包装说明：	VSON, SOLCC6,.04,20
针数：	6	Reach Compliance Code：	compliant
HTS代码：	8542.39.00.01	风险等级：	5.12
系列：	AUP/ULP/V	JESD-30 代码：	R-PDSO-N6
JESD-609代码：	e3	长度：	1.45 mm
负载电容（CL）：	30 pF	逻辑集成电路类型：	LOGIC CIRCUIT
最大I（ol）：	0.0017 A	湿度敏感等级：	1
功能数量：	1	端子数量：	6
最高工作温度：	125 °C	最低工作温度：	-40 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	VSON
封装等效代码：	SOLCC6,.04,20	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, VERY THIN PROFILE	包装方法：	TAPE AND REEL
峰值回流温度（摄氏度）：	260	电源：	1.2/3.3 V
Prop。Delay @ Nom-Sup：	22.3 ns	认证状态：	Not Qualified
施密特触发器：	YES	座面最大高度：	0.5 mm
子类别：	Gates	最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：	0.8 V	标称供电电压 (Vsup)：	1.1 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	AUTOMOTIVE	端子面层：	Tin (Sn)
端子形式：	NO LEAD	端子节距：	0.5 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
宽度：	1 mm	Base Number Matches：	1

74AUP1G57GM,132 数据手册

74AUP1G57

Low-power conﬁgurable multiple function gate

Rev. 03 — 22 June 2009

Product data sheet

1. General description

The 74AUP1G57 provides conﬁgurable multiple functions. The output state is determined

by eight patterns of 3-bit input. The user can choose the logic functions AND, OR, NAND,

NOR, XNOR, inverter, and buffer. All inputs can be connected to V_CCor GND.

This device ensures a very low static and dynamic power consumption across the entire

V_CCrange from 0.8 V to 3.6 V.

This device is fully speciﬁed for partial power-down applications using I_OFF. The I_OFF

circuitry disables the output, preventing the damaging backﬂow current through the device

when it is powered down.

The 74AUP1G57 has Schmitt trigger inputs making it capable of transforming slowly

changing input signals into sharply deﬁned, jitter-free output signals.

The inputs switch at different points for positive and negative-going signals. The difference

between the positive voltage V_T+and the negative voltage V_T−is deﬁned as the input

hysteresis voltage V_H.

2. Features

I Wide supply voltage range from 0.8 V to 3.6 V

I High noise immunity

I ESD protection:

N HBM JESD22-A114E exceeds 5000 V

N MM JESD22-A115-A exceeds 200 V

N CDM JESD22-C101C exceeds 1000 V

I Low static power consumption; I_CC= 0.9 µA (maximum)

I Latch-up performance exceeds 100 mA per JESD 78 Class II

I Inputs accept voltages up to 3.6 V

I Low noise overshoot and undershoot < 10 % of V_CC

I I_OFFcircuitry provides partial Power-down mode operation

I Multiple package options

I Speciﬁed from −40 °C to +85 °C and −40 °C to +125 °C

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