5秒后页面跳转
| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Transferred |
| 零件包装代码： | TSSOP | 包装说明： | 1.25 MM, PLASTIC, MO-203, SC-88A, SOT-353, 5 PIN |
| 针数： | 5 | Reach Compliance Code： | compliant |
| HTS代码： | 8542.39.00.01 | 风险等级： | 3.29 |
| 控制类型： | ENABLE HIGH | 系列： | AHCT/VHCT |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G5 | JESD-609代码： | e3 |
| 长度： | 2 mm | 负载电容（CL）： | 50 pF |
| 逻辑集成电路类型： | BUS DRIVER | 最大I（ol）： | 0.008 A |
| 湿度敏感等级： | 1 | 位数： | 1 |
| 功能数量： | 1 | 端口数量： | 2 |
| 端子数量： | 5 | 最高工作温度： | 125 °C |
| 最低工作温度： | -40 °C | 输出特性： | 3-STATE |
| 输出极性： | TRUE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | TSSOP | 封装等效代码： | TSSOP5/6,.08 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH |
| 包装方法： | TAPE AND REEL | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 电源： | 5 V | Prop。Delay @ Nom-Sup： | 9.5 ns |
| 传播延迟（tpd）： | 9.5 ns | 认证状态： | Not Qualified |
| 座面最大高度： | 1.1 mm | 子类别： | Bus Driver/Transceivers |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | AUTOMOTIVE |
| 端子面层： | Tin (Sn) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子节距： | 0.65 mm | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 | 宽度： | 1.25 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| 74AHCT1G126SE-7 | DIODES |
功能相似  |
SINGLE BUFFER GATE WITH 3-STATE OUTPUT |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 74AHCT1G126GW-Q100 | NEXPERIA |
获取价格 |
Bus buffer/line driver; 3-state |
|
| 74AHCT1G126GW-Q10H | NXP |
获取价格 |
74AHC(T)1G126-Q100 - Bus buffer/line driver; 3-state TSSOP 5-Pin |
|
| 74AHCT1G126Q | DIODES |
获取价格 |
Single Buffer, 3-State, OE HIGH |
|
| 74AHCT1G126-Q100 | NEXPERIA |
获取价格 |
Bus buffer/line driver; 3-state |
|
| 74AHCT1G126SE | DIODES |
获取价格 |
SINGLE BUFFER GATE WITH 3-STATE OUTPUT |
|
| 74AHCT1G126SE-7 | DIODES |
获取价格 |
SINGLE BUFFER GATE WITH 3-STATE OUTPUT |
|
| 74AHCT1G126W5 | DIODES |
获取价格 |
SINGLE BUFFER GATE WITH 3-STATE OUTPUT |
|
| 74AHCT1G126W5-7 | DIODES |
获取价格 |
SINGLE BUFFER GATE WITH 3-STATE OUTPUT |
|
| 74AHCT1G14 | DIODES |
获取价格 |
SINGLE SCHMITT-TRIGGER INVERETER |
|
| 74AHCT1G14 | NXP |
获取价格 |
Inverting Schmitt trigger |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
替代型号
如果您发现信息不准确，
