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72UR120APDPBF

更新时间: 2024-11-07 20:59:07
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英飞凌 - INFINEON 高功率电源二极管
页数 文件大小 规格书
7页 170K
描述
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 250A, 1200V V(RRM), Silicon, DO-205AB,

72UR120APDPBF 技术参数

是否Rohs认证:符合生命周期:Active
Reach Compliance Code:compliant风险等级:5.63
Is Samacsys:N应用:HIGH POWER
外壳连接:ANODE配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码:DO-205ABJESD-30 代码:O-MUPM-H1
最大非重复峰值正向电流:6850 A元件数量:1
相数:1端子数量:1
最高工作温度:200 °C最低工作温度:-40 °C
最大输出电流:250 A封装主体材料:METAL
封装形状:ROUND封装形式:POST/STUD MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED最大重复峰值反向电压:1200 V
表面贴装:NO端子形式:HIGH CURRENT CABLE
端子位置:UPPER处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
Base Number Matches:1

72UR120APDPBF 数据手册

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