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72200L35TCB

更新时间: 2024-11-29 15:46:39
品牌 Logo 应用领域
艾迪悌 - IDT 时钟先进先出芯片内存集成电路
页数 文件大小 规格书
19页 1022K
描述
FIFO, 256X8, 20ns, Synchronous, CMOS, CDIP28

72200L35TCB 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:ObsoleteReach Compliance Code:not_compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8542.32.00.71
风险等级:5.92最长访问时间:20 ns
最大时钟频率 (fCLK):28.6 MHzJESD-30 代码:R-XDIP-T28
JESD-609代码:e0内存密度:2048 bit
内存集成电路类型:OTHER FIFO内存宽度:8
端子数量:28字数:256 words
字数代码:256工作模式:SYNCHRONOUS
最高工作温度:125 °C最低工作温度:-55 °C
组织:256X8封装主体材料:CERAMIC
封装代码:DIP封装等效代码:DIP28,.3
封装形状:RECTANGULAR封装形式:IN-LINE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED电源:5 V
认证状态:Not Qualified筛选级别:38535Q/M;38534H;883B
子类别:FIFOs标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:NO技术:CMOS
温度等级:MILITARY端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:THROUGH-HOLE端子节距:2.54 mm
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
Base Number Matches:1

72200L35TCB 数据手册

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