是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Active | 零件包装代码: | QFJ |
包装说明: | QCCJ, LDCC32,.5X.6 | 针数: | 32 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8542.32.00.71 | 风险等级: | 5.33 |
Is Samacsys: | N | 最长访问时间: | 25 ns |
其他特性: | RETRANSMIT | 最大时钟频率 (fCLK): | 28.5 MHz |
周期时间: | 35 ns | JESD-30 代码: | R-PQCC-J32 |
JESD-609代码: | e3 | 长度: | 13.9954 mm |
内存密度: | 294912 bit | 内存集成电路类型: | OTHER FIFO |
内存宽度: | 9 | 湿度敏感等级: | 1 |
功能数量: | 1 | 端子数量: | 32 |
字数: | 32768 words | 字数代码: | 32000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 70 °C |
最低工作温度: | 组织: | 32KX9 | |
可输出: | NO | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | QCCJ | 封装等效代码: | LDCC32,.5X.6 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | CHIP CARRIER |
并行/串行: | PARALLEL | 峰值回流温度(摄氏度): | 260 |
电源: | 5 V | 认证状态: | Not Qualified |
座面最大高度: | 3.556 mm | 最大待机电流: | 0.012 A |
子类别: | FIFOs | 最大压摆率: | 0.12 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup): | 5 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | COMMERCIAL |
端子面层: | Matte Tin (Sn) - annealed | 端子形式: | J BEND |
端子节距: | 1.27 mm | 端子位置: | QUAD |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 30 | 宽度: | 11.4554 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
7207L25JG8 | IDT |
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FIFO, 32KX9, 25ns, Asynchronous, CMOS, PQCC32, PLASTIC, LCC-32 | |
7207L25JGI | IDT |
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FIFO, 32KX9, 25ns, Asynchronous, CMOS, PQCC32, GREEN, PLASTIC, LCC-32 | |
7207L25JGI8 | IDT |
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FIFO, 32KX9, 25ns, Asynchronous, CMOS, PQCC32, PLASTIC, LCC-32 | |
7207L25JI8 | IDT |
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PLCC-32, Reel | |
7207L25P | IDT |
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PDIP-28, Tube | |
7207L25PG | IDT |
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FIFO, 32KX9, 25ns, Asynchronous, CMOS, PDIP28, PLASTIC, DIP-28 | |
7207L25PGB8 | IDT |
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CMOS ASYNCHRONOUS FIFO | |
7207L25PGI8 | IDT |
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CMOS ASYNCHRONOUS FIFO | |
7207L25TPGB8 | IDT |
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CMOS ASYNCHRONOUS FIFO | |
7207L25TPGI8 | IDT |
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CMOS ASYNCHRONOUS FIFO |