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71V67803S150BG

更新时间： 2024-01-11 05:28:31
品牌 Logo 应用领域
艾迪悌 - IDT 时钟静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
23页 424K
描述
PBGA-119, Tray

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71V67803S150BG 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Active零件包装代码：PBGA
包装说明：BGA, BGA119,7X17,50针数：119
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：3A991.B.2.A
HTS代码：8542.32.00.41风险等级：1.72
最长访问时间：3.8 ns其他特性：PIPELINED ARCHITECTURE
最大时钟频率 (fCLK)：150 MHzI/O 类型：COMMON
JESD-30 代码：R-PBGA-B119JESD-609代码：e0
长度：22 mm内存密度：9437184 bit
内存集成电路类型：CACHE SRAM内存宽度：18
湿度敏感等级：3功能数量：1
端子数量：119字数：524288 words
字数代码：512000工作模式：SYNCHRONOUS
最高工作温度：70 °C最低工作温度：
组织：512KX18输出特性：3-STATE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：BGA
封装等效代码：BGA119,7X17,50封装形状：RECTANGULAR
封装形式：GRID ARRAY并行/串行：PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：225电源：3.3 V
认证状态：Not Qualified座面最大高度：2.36 mm
最大待机电流：0.05 A最小待机电流：3.14 V
子类别：SRAMs最大压摆率：0.305 mA
最大供电电压 (Vsup)：3.465 V最小供电电压 (Vsup)：3.135 V
标称供电电压 (Vsup)：3.3 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：COMMERCIAL
端子面层：Tin/Lead (Sn63Pb37)端子形式：BALL
端子节距：1.27 mm端子位置：BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：20宽度：14 mm
Base Number Matches：1

71V67803S150BG 数据手册

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IDT71V67603, IDT71V67803, 256K x 36, 512K x 18, 3.3V Synchronous SRAMS with  
3.3V I/O, Pipelined Outputs, Single Cycle Deselect  
Commercial and Industrial Temperature Ranges  
Pin Configuration – 256K x 36, 119 BGA  
1
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K
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A
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(1)  
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A
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ZZ  
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V
DNU(3)  
DNU(3)  
DDQ  
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U
DNU(3)  
DNU(3)  
5310 drw 04  
Top View  
Pin Configuration – 512K x 18, 119 BGA  
1
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NC  
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NC  
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DDQ  
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A
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(1)  
5
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V
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A
A
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DD / NC  
NC  
LBO  
(2)  
,
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A
11  
A
A
A
NC  
ZZ  
DNU(3)  
DDQ  
V
5310 drw 05  
DNU(3)  
DNU(3)  
U
V
DNU(3)  
DNU(3)  
Top View  
NOTES:  
1. R5 can either be directly connected to VDD, or connected to an input voltage ≥ VIH, or left unconnected.  
2. T7 can be left unconnected and the device will always remain in active mode.  
3. DNU= Do not use; these signals can either be left unconnected or tied to Vss.  
4. On future 18M device CS0 will be removed, B2 will be used for address expansion.  
6.42  
7
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71V67803S150BG8 IDT PBGA-119, Reel

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