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71V67803S150BG

更新时间： 2024-01-23 14:40:40

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艾迪悌 - IDT		时钟静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
23页	424K
描述
PBGA-119, Tray

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71V67803S150BG 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	PBGA
包装说明：	BGA, BGA119,7X17,50	针数：	119
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	3A991.B.2.A
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	1.72
最长访问时间：	3.8 ns	其他特性：	PIPELINED ARCHITECTURE
最大时钟频率 (fCLK)：	150 MHz	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	R-PBGA-B119	JESD-609代码：	e0
长度：	22 mm	内存密度：	9437184 bit
内存集成电路类型：	CACHE SRAM	内存宽度：	18
湿度敏感等级：	3	功能数量：	1
端子数量：	119	字数：	524288 words
字数代码：	512000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	512KX18	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	BGA
封装等效代码：	BGA119,7X17,50	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	GRID ARRAY	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	225	电源：	3.3 V
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	2.36 mm
最大待机电流：	0.05 A	最小待机电流：	3.14 V
子类别：	SRAMs	最大压摆率：	0.305 mA
最大供电电压 (Vsup)：	3.465 V	最小供电电压 (Vsup)：	3.135 V
标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子面层：	Tin/Lead (Sn63Pb37)	端子形式：	BALL
端子节距：	1.27 mm	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	20	宽度：	14 mm
Base Number Matches：	1

71V67803S150BG 数据手册

IDT71V67603, IDT71V67803, 256K x 36, 512K x 18, 3.3V Synchronous SRAMS with

3.3V I/O, Pipelined Outputs, Single Cycle Deselect

Commercial and Industrial Temperature Ranges

Pin Configuration – 512K x 18, 100-Pin TQFP

100 99 98 97 96 95 94 93 92 91 90 89 88 87 86 85 84 83 82 81

DDQ

VDDQ

VSS

I/O8

I/OP1

I/O

I/O9

I/O

VSS

DDQ

VDDQ

I/O10

I/O11

I/O

DD / NC⁽¹⁾

VSS

VDD

ZZ⁽²⁾

I/O12

I/O13

I/O

DDQ

VSS

I/O14

I/O15

I/OP2

I/O

VSS

DDQ

VDDQ

31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50

5310 drw 03

Top View

NOTES:

1. Pin 14 can either be directly connected to VDD, or connected to an input voltage ≥ VIH, or left unconnected.

2. Pin 64 can be left unconnected and the device will always remain in active mode.

6.42

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