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71V67803S150BG

更新时间： 2024-02-07 13:34:26
品牌 Logo 应用领域
艾迪悌 - IDT 时钟静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
23页 424K
描述
PBGA-119, Tray

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71V67803S150BG 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Active零件包装代码：PBGA
包装说明：BGA, BGA119,7X17,50针数：119
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：3A991.B.2.A
HTS代码：8542.32.00.41风险等级：1.72
最长访问时间：3.8 ns其他特性：PIPELINED ARCHITECTURE
最大时钟频率 (fCLK)：150 MHzI/O 类型：COMMON
JESD-30 代码：R-PBGA-B119JESD-609代码：e0
长度：22 mm内存密度：9437184 bit
内存集成电路类型：CACHE SRAM内存宽度：18
湿度敏感等级：3功能数量：1
端子数量：119字数：524288 words
字数代码：512000工作模式：SYNCHRONOUS
最高工作温度：70 °C最低工作温度：
组织：512KX18输出特性：3-STATE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：BGA
封装等效代码：BGA119,7X17,50封装形状：RECTANGULAR
封装形式：GRID ARRAY并行/串行：PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：225电源：3.3 V
认证状态：Not Qualified座面最大高度：2.36 mm
最大待机电流：0.05 A最小待机电流：3.14 V
子类别：SRAMs最大压摆率：0.305 mA
最大供电电压 (Vsup)：3.465 V最小供电电压 (Vsup)：3.135 V
标称供电电压 (Vsup)：3.3 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：COMMERCIAL
端子面层：Tin/Lead (Sn63Pb37)端子形式：BALL
端子节距：1.27 mm端子位置：BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：20宽度：14 mm
Base Number Matches：1

71V67803S150BG 数据手册

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IDT71V67603, IDT71V67803, 256K x 36, 512K x 18, 3.3V Synchronous SRAMS with  
3.3V I/O, Pipelined Outputs, Single Cycle Deselect  
Commercial and Industrial Temperature Ranges  
AbsoluteMaximumRatings(1)  
RecommendedOperating  
TemperatureandSupplyVoltage  
Symbol  
Rating  
Commercial  
Unit  
Grade  
Temperature(1)  
0°C to +70°C  
-40°C to +85°C  
V
SS  
VDD  
VDDQ  
(2)  
V
TERM  
Terminal Voltage with  
Respect to GND  
-0.5 to +4.6  
V
Commercial  
Industrial  
0V  
0V  
3.3V±5%  
3.3V±5%  
3.3V±5%  
(3,6)  
(4,6)  
(5,6)  
V
TERM  
Terminal Voltage with  
Respect to GND  
-0.5 to VDD  
-0.5 to VDD +0.5  
-0.5 to VDDQ +0.5  
-0 to +70  
V
V
3.3V±5%  
5310 tbl 04  
NOTE:  
1. TA is the "instant on" case temperature.  
VTERM  
Terminal Voltage with  
Respect to GND  
RecommendedDCOperating  
Conditions  
VTERM  
Terminal Voltage with  
Respect to GND  
V
Symbol  
Parameter  
Core Supply Voltage  
I/O Supply Voltage  
Supply Voltage  
Min. Typ.  
3.135 3.3  
3.135 3.3  
Max.  
Unit  
oC  
oC  
oC  
W
T (7)  
A
Operating Temperature  
V
DD  
DDQ  
SS  
IH  
IH  
IL  
3.465  
3.465  
0
V
V
V
V
V
Temperature  
Under Bias  
-55 to +125  
TBIAS  
V
V
0
2.0  
0
Storage  
-55 to +125  
TSTG  
____  
V
Input High Voltage - Inputs  
Input High Voltage -I/O  
Input Low Voltage  
VDD +0.3  
Temperature  
____  
____  
V
2.0  
VDDQ +0.3  
P
T
Power Dissipation  
DC Output Current  
2.0  
50  
V
-0.3(1)  
0.8  
V
IOUT  
mA  
5310 tbl 05  
5310 tbl 03  
NOTES:  
NOTE:  
1. Stresses greater than those listed under ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS may  
cause permanent damage to the device. This is a stress rating only and functional  
operation of the device at these or any other conditions above those indicated  
in the operational sections of this specification is not implied. Exposure to absolute  
maximum rating conditions for extended periods may affect reliability.  
2. VDD terminals only.  
1. VIL (min) = -1.0V for pulse width less than tCYC/2, once per cycle.  
3. VDDQ terminals only.  
4. Input terminals only.  
5. I/O terminals only.  
6. This is a steady-state DC parameter that applies after the power supplies have  
ramped up. Power supply sequencing is not necessary; however, the voltage  
on any input or I/O pin cannot exceed VDDQ during power supply ramp up.  
7. TA is the "instant on" case temperature.  
165fBGACapacitance  
100PinTQFPCapacitance  
(TA = +25°C, f = 1.0MHz)  
(TA = +25°C, f = 1.0MHz)  
Parameter(1)  
Input Capacitance  
I/O Capacitance  
Conditions  
IN = 3dV  
Max. Unit  
Symbol  
Parameter(1)  
Input Capacitance  
I/O Capacitance  
Conditions  
IN = 3dV  
Max. Unit  
Symbol  
CIN  
V
5
7
pF  
CIN  
V
7
7
pF  
CI/O  
VOUT = 3dV  
pF  
CI/O  
VOUT = 3dV  
pF  
5310 tbl 07  
5310 tbl 07b  
119BGACapacitance  
(TA = +25°C, f = 1.0MHz)  
Symbol  
Parameter(1)  
Input Capacitance  
I/O Capacitance  
Conditions  
IN = 3dV  
OUT = 3dV  
Max. Unit  
CIN  
V
7
7
pF  
CI/O  
V
pF  
5310 tbl 07a  
NOTE:  
1. This parameter is guaranteed by device characterization, but not production tested.  
6.42  
4
1234567...23

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