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71V546XS133PFG

更新时间： 2024-02-01 14:46:14

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艾迪悌 - IDT		时钟静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
21页	164K
描述
3.3V Synchronous SRAM

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71V546XS133PFG 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	QFP, QFP100,.63X.87
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	3A991.B.2.A
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.21
最长访问时间：	4.2 ns	最大时钟频率 (fCLK)：	133 MHz
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	R-PQFP-G100
JESD-609代码：	e3	内存密度：	4718592 bit
内存集成电路类型：	ZBT SRAM	内存宽度：	36
湿度敏感等级：	3	功能数量：	1
端子数量：	100	字数：	131072 words
字数代码：	128000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	128KX36	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	QFP
封装等效代码：	QFP100,.63X.87	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLATPACK	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	260	电源：	3.3 V
认证状态：	Not Qualified	最大待机电流：	0.04 A
最小待机电流：	3.14 V	子类别：	SRAMs
最大压摆率：	0.3 mA	最大供电电压 (Vsup)：	3.465 V
最小供电电压 (Vsup)：	3.135 V	标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子面层：	Matte Tin (Sn) - annealed
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.635 mm
端子位置：	QUAD	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
Base Number Matches：	1

71V546XS133PFG 数据手册

IDT71V546, 128K x 36, 3.3V Synchronous SRAM with

ZBT™ Feature, Burst Counter and Pipelined Outputs

Commercial and Industrial Temperature Ranges

Pin Configuration — 128K X 36

100 99 98 97 96 95 94 93 92 91 90 89 88 87 86 85 84 83 82 81

I/OP3

I/O16

I/O17

I/OP2

I/O15

I/O14

VSS

I/O18

I/O19

I/O20

I/O21

I/O13

I/O12

I/O11

I/O10

I/O22

I/O

I/O23

(1)

VDD

PK100-1

VDD

VSS

I/O24

I/O25

I/O7

I/O6

I/O26

I/O27

I/O28

I/O29

I/O

I/O30

I/O31

I/OP4

I/O

I/OP1

31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50

3821 drw 02

100 TQFP

Top View

NOTES:

1. Pin 14 does not have to be connected directly to VDD as long as the input voltage is > VIH.

2. Pins 83 and 84 are reserved for future A17 (8M) and A18 (16M) respectively.

1 2 345 6 7...21

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