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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | BGA |
| 包装说明： | TBGA, | 针数： | 165 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.69 |
| 最长访问时间： | 5 ns | JESD-30 代码： | R-PBGA-B165 |
| JESD-609代码： | e0 | 长度： | 15 mm |
| 内存密度： | 4718592 bit | 内存集成电路类型： | ZBT SRAM |
| 内存宽度： | 36 | 湿度敏感等级： | 3 |
| 功能数量： | 1 | 端子数量： | 165 |
| 字数： | 131072 words | 字数代码： | 128000 |
| 工作模式： | SYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 85 °C |
| 最低工作温度： | -40 °C | 组织： | 128KX36 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | TBGA |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | GRID ARRAY, THIN PROFILE |
| 并行/串行： | PARALLEL | 峰值回流温度（摄氏度）： | 225 |
| 认证状态： | COMMERCIAL | 座面最大高度： | 1.2 mm |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 3.465 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 3.135 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 3.3 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | INDUSTRIAL |
| 端子面层： | TIN LEAD | 端子形式： | BALL |
| 端子节距： | 1 mm | 端子位置： | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 20 | 宽度： | 13 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 71V3556SA166BQI | IDT |
获取价格 |
ZBT SRAM, 128KX36, 3.5ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, FINE PITCH, BGA-165 |
|
| 71V3556XS100BG8 | IDT |
获取价格 |
ZBT SRAM, 128KX36, 5ns, CMOS, PBGA119 |
|
| 71V3556XS100BQ | IDT |
获取价格 |
ZBT SRAM, 128KX36, 5ns, CMOS, PBGA165 |
|
| 71V3556XS100BQ8 | IDT |
获取价格 |
ZBT SRAM, 128KX36, 5ns, CMOS, PBGA165 |
|
| 71V3556XS100BQGI8 | IDT |
获取价格 |
ZBT SRAM, 128KX36, 5ns, CMOS, PBGA165 |
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| 71V3556XS100BQI | IDT |
获取价格 |
ZBT SRAM, 128KX36, 5ns, CMOS, PBGA165 |
|
| 71V3556XS100BQI8 | IDT |
获取价格 |
ZBT SRAM, 128KX36, 5ns, CMOS, PBGA165 |
|
| 71V3556XS100PFG8 | IDT |
获取价格 |
ZBT SRAM, 128KX36, 5ns, CMOS, PQFP100 |
|
| 71V3556XS100PFI8 | IDT |
获取价格 |
ZBT SRAM, 128KX36, 5ns, CMOS, PQFP100 |
|
| 71V3556XS133BGG8 | IDT |
获取价格 |
ZBT SRAM, 128KX36, 4.2ns, CMOS, PBGA119 |
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