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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TQFP |
| 针数： | 64 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8542.32.00.41 |
| 风险等级： | 5.2 | 最长访问时间： | 35 ns |
| I/O 类型： | COMMON | JESD-30 代码： | S-PQFP-G64 |
| JESD-609代码： | e0 | 内存密度： | 8192 bit |
| 内存集成电路类型： | MULTI-PORT SRAM | 内存宽度： | 8 |
| 湿度敏感等级： | 3 | 端口数量： | 2 |
| 端子数量： | 64 | 字数： | 1024 words |
| 字数代码： | 1000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 70 °C | 最低工作温度： | |
| 组织： | 1KX8 | 输出特性： | 3-STATE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | QFP |
| 封装等效代码： | QFP64,.47SQ,20 | 封装形状： | SQUARE |
| 封装形式： | FLATPACK | 并行/串行： | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 240 | 电源： | 3.3 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大待机电流： | 0.003 A |
| 最小待机电流： | 3 V | 子类别： | SRAMs |
| 最大压摆率： | 0.115 mA | 标称供电电压 (Vsup)： | 3.3 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | COMMERCIAL | 端子面层： | Tin/Lead (Sn85Pb15) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子节距： | 0.5 mm |
| 端子位置： | QUAD | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 71V30L35TF8 | IDT |
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TQFP-64, Reel |
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| 71V30L35TFG | IDT |
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Dual-Port SRAM, 1KX8, 35ns, CMOS, PQFP64, 10 X 10 MM, 1.40 MM HEIGHT, GREEN, STQFP-64 |
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| 71V30L35TFG8 | IDT |
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Multi-Port SRAM, 1KX8, 35ns, CMOS, PQFP64, 10 X 10 MM, 1.40 MM HEIGHT, GREEN, STQFP-64 |
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| 71V30L35TFGI | IDT |
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HIGH-SPEED 3.3V 1K X 8 DUAL-PORT STATIC RAM |
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| 71V30L35TFGI8 | IDT |
获取价格 |
HIGH-SPEED 3.3V 1K X 8 DUAL-PORT STATIC RAM |
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| 71V30L55TF8 | IDT |
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TQFP-64, Reel |
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| 71V30L55TFG | IDT |
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Dual-Port SRAM, 1KX8, 55ns, CMOS, PQFP64, 10 X 10 MM, 1.40 MM HEIGHT, GREEN, STQFP-64 |
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| 71V30L55TFG8 | IDT |
获取价格 |
Multi-Port SRAM, 1KX8, 55ns, CMOS, PQFP64, 10 X 10 MM, 1.40 MM HEIGHT, GREEN, STQFP-64 |
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| 71V30L55TFGI | IDT |
获取价格 |
Dual-Port SRAM, 1KX8, 55ns, CMOS, PQFP64, 10 X 10 MM, 1.40 MM HEIGHT, GREEN, STQFP-64 |
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| 71V30L55TFGI8 | IDT |
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HIGH-SPEED 3.3V 1K X 8 DUAL-PORT STATIC RAM |
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