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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | PBGA |
| 包装说明： | BGA, BGA119,7X17,50 | 针数： | 119 |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | ECCN代码： | 3A991.B.2.A |
| HTS代码： | 8542.32.00.41 | 风险等级： | 5.26 |
| Samacsys Description： | PBGA 14. X 22.0 MM X 1.27 MM PITCH | 最长访问时间： | 8.5 ns |
| 其他特性： | FLOW-THROUGH ARCHITECTURE | 最大时钟频率 (fCLK)： | 90 MHz |
| I/O 类型： | COMMON | JESD-30 代码： | R-PBGA-B119 |
| JESD-609代码： | e0 | 长度： | 22 mm |
| 内存密度： | 18874368 bit | 内存集成电路类型： | ZBT SRAM |
| 内存宽度： | 18 | 湿度敏感等级： | 3 |
| 功能数量： | 1 | 端子数量： | 119 |
| 字数： | 1048576 words | 字数代码： | 1000000 |
| 工作模式： | SYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 70 °C |
| 最低工作温度： | 组织： | 1MX18 | |
| 输出特性： | 3-STATE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | BGA | 封装等效代码： | BGA119,7X17,50 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | GRID ARRAY |
| 并行/串行： | PARALLEL | 峰值回流温度（摄氏度）： | 225 |
| 电源： | 2.5 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 座面最大高度： | 2.36 mm | 最大待机电流： | 0.04 A |
| 最小待机电流： | 2.38 V | 子类别： | SRAMs |
| 最大压摆率： | 0.225 mA | 最大供电电压 (Vsup)： | 2.625 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 2.375 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 2.5 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | COMMERCIAL | 端子面层： | Tin/Lead (Sn63Pb37) |
| 端子形式： | BALL | 端子节距： | 1.27 mm |
| 端子位置： | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 20 |
| 宽度： | 14 mm | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 71T75902S85BGG | IDT | 2.5V Synchronous ZBT SRAM 2.5V I/O, Burst Counter Flow-Through Outputs |
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| 71T75902S85BGG8 | IDT | 2.5V Synchronous ZBT SRAM 2.5V I/O, Burst Counter Flow-Through Outputs |
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| 71T75902S85BGGI8 | IDT | ZBT SRAM, 1MX18, 8.5ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, GREEN, PLASTIC, MS-028AA, BGA-119 |
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| 71V016 | RENESAS | 3.3V 64K x 16 Bit Asynchronous Static RAM |
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| 71V016HSA10Y | IDT | Standard SRAM, 64KX16, 10ns, CMOS, PDSO44 |
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| 71V016HSA12BFG | IDT | Standard SRAM, 64KX16, 12ns, CMOS, PBGA48 |
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