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71T75602S200BG

更新时间: 2024-12-01 14:40:11
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艾迪悌 - IDT 时钟静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
25页 1617K
描述
ZBT SRAM, 512KX36, 3.2ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, MS-028AA, BGA-119

71T75602S200BG 技术参数

是否Rohs认证:不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:BGA包装说明:14 X 22 MM, MS-028AA, BGA-119
针数:119Reach Compliance Code:not_compliant
ECCN代码:3A991.B.2.AHTS代码:8542.32.00.41
风险等级:5.12Is Samacsys:N
最长访问时间:3.2 ns其他特性:PIPELINED ARCHITECTURE
最大时钟频率 (fCLK):200 MHzI/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-PBGA-B119JESD-609代码:e0
长度:22 mm内存密度:18874368 bit
内存集成电路类型:ZBT SRAM内存宽度:36
湿度敏感等级:3功能数量:1
端子数量:119字数:524288 words
字数代码:512000工作模式:SYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:512KX36输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:BGA
封装等效代码:BGA119,7X17,50封装形状:RECTANGULAR
封装形式:GRID ARRAY并行/串行:PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED电源:2.5 V
认证状态:Not Qualified座面最大高度:2.36 mm
最大待机电流:0.04 A最小待机电流:2.38 V
子类别:SRAMs最大压摆率:0.275 mA
最大供电电压 (Vsup):2.625 V最小供电电压 (Vsup):2.375 V
标称供电电压 (Vsup):2.5 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn63Pb37)端子形式:BALL
端子节距:1.27 mm端子位置:BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED宽度:14 mm
Base Number Matches:1

71T75602S200BG 数据手册

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