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71T75702S85BGI

更新时间: 2024-12-01 15:26:27
品牌 Logo 应用领域
罗彻斯特 - ROCHESTER 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
27页 1076K
描述
512KX36 ZBT SRAM, 8.5ns, PBGA119, 14 X 22 MM, PLASTIC, MS-028AA, BGA-119

71T75702S85BGI 技术参数

生命周期:Active零件包装代码:BGA
包装说明:14 X 22 MM, PLASTIC, MS-028AA, BGA-119针数:119
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.79
最长访问时间:8.5 ns其他特性:FLOW-THROUGH ARCHITECTURE
JESD-30 代码:R-PBGA-B119JESD-609代码:e0
长度:22 mm内存密度:18874368 bit
内存集成电路类型:ZBT SRAM内存宽度:36
功能数量:1端子数量:119
字数:524288 words字数代码:512000
工作模式:SYNCHRONOUS最高工作温度:85 °C
最低工作温度:-40 °C组织:512KX36
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:BGA
封装形状:RECTANGULAR封装形式:GRID ARRAY
并行/串行:PARALLEL认证状态:COMMERCIAL
座面最大高度:2.36 mm最大供电电压 (Vsup):2.625 V
最小供电电压 (Vsup):2.375 V标称供电电压 (Vsup):2.5 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:INDUSTRIAL端子面层:TIN LEAD
端子形式:BALL端子节距:1.27 mm
端子位置:BOTTOM宽度:14 mm
Base Number Matches:1

71T75702S85BGI 数据手册

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