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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | DIP, DIP28,.6 |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | 风险等级： | 5.92 |
| 最长访问时间： | 25 ns | I/O 类型： | COMMON |
| JESD-30 代码： | R-XDIP-T28 | JESD-609代码： | e0 |
| 内存密度： | 65536 bit | 内存集成电路类型： | STANDARD SRAM |
| 内存宽度： | 8 | 端子数量： | 28 |
| 字数： | 8192 words | 字数代码： | 8000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 125 °C |
| 最低工作温度： | -55 °C | 组织： | 8KX8 |
| 输出特性： | 3-STATE | 封装主体材料： | CERAMIC |
| 封装代码： | DIP | 封装等效代码： | DIP28,.6 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 并行/串行： | PARALLEL | 峰值回流温度（摄氏度）： | 225 |
| 电源： | 5 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 筛选级别： | 38535Q/M;38534H;883B | 最大待机电流： | 0.02 A |
| 最小待机电流： | 4.5 V | 子类别： | SRAMs |
| 最大压摆率： | 0.19 mA | 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V |
| 表面贴装： | NO | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | MILITARY | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子节距： | 2.54 mm |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 7165S25J | IDT |
获取价格 |
Standard SRAM, 8KX8, 25ns, CMOS, PQCC32 |
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| 7165S25L | IDT |
获取价格 |
Standard SRAM, 8KX8, 25ns, CMOS, CQCC32 |
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| 7165S25LB | IDT |
获取价格 |
Standard SRAM, 8KX8, 25ns, CMOS, CQCC32 |
|
| 7165S25TC | IDT |
获取价格 |
Standard SRAM, 8KX8, 25ns, CMOS, CDIP28 |
|
| 7165S25Y | IDT |
获取价格 |
Standard SRAM, 8KX8, 25ns, CMOS, PDSO28 |
|
| 7165S30DB | IDT |
获取价格 |
Standard SRAM, 8KX8, 30ns, CMOS, CDIP28 |
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| 7165S30L32 | IDT |
获取价格 |
Memory IC |
|
| 7165S30LB | IDT |
获取价格 |
Standard SRAM, 8KX8, 30ns, CMOS, CQCC32 |
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| 7165S30TC | IDT |
获取价格 |
Standard SRAM, 8KX8, 30ns, CMOS, CDIP28 |
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| 7165S30TP | IDT |
获取价格 |
Standard SRAM, 8KX8, 30ns, CMOS, PDIP28 |
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