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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SOJ, SOJ28,.34 |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | 风险等级： | 5.92 |
| 最长访问时间： | 25 ns | I/O 类型： | COMMON |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-J28 | JESD-609代码： | e0 |
| 内存密度： | 65536 bit | 内存集成电路类型： | STANDARD SRAM |
| 内存宽度： | 8 | 湿度敏感等级： | 3 |
| 端子数量： | 28 | 字数： | 8192 words |
| 字数代码： | 8000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 70 °C | 最低工作温度： | |
| 组织： | 8KX8 | 输出特性： | 3-STATE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | SOJ |
| 封装等效代码： | SOJ28,.34 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 并行/串行： | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 225 | 电源： | 5 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大待机电流： | 0.015 A |
| 最小待机电流： | 4.5 V | 子类别： | SRAMs |
| 最大压摆率： | 0.17 mA | 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | COMMERCIAL | 端子面层： | Tin/Lead (Sn85Pb15) |
| 端子形式： | J BEND | 端子节距： | 1.27 mm |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 7165S30DB | IDT |
获取价格 |
Standard SRAM, 8KX8, 30ns, CMOS, CDIP28 |
|
| 7165S30L32 | IDT |
获取价格 |
Memory IC |
|
| 7165S30LB | IDT |
获取价格 |
Standard SRAM, 8KX8, 30ns, CMOS, CQCC32 |
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| 7165S30TC | IDT |
获取价格 |
Standard SRAM, 8KX8, 30ns, CMOS, CDIP28 |
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| 7165S30TP | IDT |
获取价格 |
Standard SRAM, 8KX8, 30ns, CMOS, PDIP28 |
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| 7165S30Y | IDT |
获取价格 |
Standard SRAM, 8KX8, 30ns, CMOS, PDSO28 |
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| 7165S35T | IDT |
获取价格 |
Standard SRAM, 8KX8, 35ns, CMOS, CDIP28 |
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| 7165S35TB | IDT |
获取价格 |
Standard SRAM, 8KX8, 35ns, CMOS, CDIP28 |
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| 7165S55Y | IDT |
获取价格 |
Standard SRAM, 8KX8, 55ns, CMOS, PDSO28 |
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| 7165S70L32 | IDT |
获取价格 |
Standard SRAM, 8KX8, 70ns, CMOS, CQCC32 |
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