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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | DIP |
| 包装说明： | DIP, | 针数： | 28 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | 3A001.A.2.C |
| HTS代码： | 8542.32.00.41 | 风险等级： | 5.78 |
| 最长访问时间： | 85 ns | JESD-30 代码： | R-CDIP-T28 |
| JESD-609代码： | e3 | 长度： | 37.1475 mm |
| 内存密度： | 65536 bit | 内存集成电路类型： | STANDARD SRAM |
| 内存宽度： | 8 | 功能数量： | 1 |
| 端子数量： | 28 | 字数： | 8192 words |
| 字数代码： | 8000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 125 °C | 最低工作温度： | -55 °C |
| 组织： | 8KX8 | 封装主体材料： | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
| 封装代码： | DIP | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 并行/串行： | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 认证状态： | Not Qualified |
| 筛选级别： | MIL-STD-883 Class B | 座面最大高度： | 5.08 mm |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V | 表面贴装： | NO |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | MILITARY |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子节距： | 2.54 mm | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 | 宽度： | 7.62 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 7164S85TDGB8 | IDT |
获取价格 |
Standard SRAM, 8KX8, 85ns, CMOS, CDIP28, 0.300 INCH, GREEN, CERAMIC, DIP-28 |
|
| 7164S85TDGI | IDT |
获取价格 |
CMOS Static RAM 64K |
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| 7164S85TDGI8 | IDT |
获取价格 |
CMOS Static RAM 64K |
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| 7164S85TPG8 | IDT |
获取价格 |
CMOS Static RAM 64K |
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| 7164S85TPG88 | IDT |
获取价格 |
CMOS Static RAM 64K |
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| 7164S85TPGB8 | IDT |
获取价格 |
Standard SRAM, 8KX8, 85ns, CMOS, PDIP28, 0.300 INCH, GREEN, PLASTIC, DIP-28 |
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| 7164S85TPGI | IDT |
获取价格 |
CMOS Static RAM 64K |
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| 7164S85TPGI8 | IDT |
获取价格 |
CMOS Static RAM 64K |
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| 7164S85XEB | IDT |
获取价格 |
Standard SRAM, 8KX8, 85ns, CMOS, CQFP28, CERAMIC, FP-28 |
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| 7164S85YG8 | IDT |
获取价格 |
CMOS Static RAM 64K |
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