生命周期: | Active | 包装说明: | DIP, |
Reach Compliance Code: | compliant | 风险等级: | 5.78 |
最长访问时间: | 85 ns | JESD-30 代码: | R-PDIP-T28 |
内存密度: | 65536 bit | 内存集成电路类型: | STANDARD SRAM |
内存宽度: | 8 | 功能数量: | 1 |
端子数量: | 28 | 字数: | 8192 words |
字数代码: | 8000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 125 °C | 最低工作温度: | -55 °C |
组织: | 8KX8 | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | DIP | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | IN-LINE | 并行/串行: | PARALLEL |
筛选级别: | MIL-STD-883 Class B | 最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup): | 5 V |
表面贴装: | NO | 技术: | CMOS |
温度等级: | MILITARY | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子位置: | DUAL | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
7164S85TPGI | IDT |
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CMOS Static RAM 64K | |
7164S85TPGI8 | IDT |
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CMOS Static RAM 64K | |
7164S85XEB | IDT |
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Standard SRAM, 8KX8, 85ns, CMOS, CQFP28, CERAMIC, FP-28 | |
7164S85YG8 | IDT |
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CMOS Static RAM 64K | |
7164S85YG88 | IDT |
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CMOS Static RAM 64K | |
7164S85YGB | IDT |
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Standard SRAM, 8KX8, 85ns, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, GREEN, SOJ-28 | |
7164S85YGI | IDT |
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CMOS Static RAM 64K | |
7164S85YGI8 | IDT |
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CMOS Static RAM 64K | |
7164SS15YG | IDT |
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Standard SRAM, 8KX8, 15ns, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, ROHS COMPLIANT, SOJ-28 | |
7164SS20YG | IDT |
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Standard SRAM, 8KX8, 19ns, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, ROHS COMPLIANT, SOJ-28 |