是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Active | 零件包装代码: | SOJ |
包装说明: | SOJ, SOJ28,.34 | 针数: | 28 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8542.32.00.41 | 风险等级: | 1.31 |
Samacsys Description: | SOIC 300 MIL- J BEND | 最长访问时间: | 19 ns |
I/O 类型: | COMMON | JESD-30 代码: | R-PDSO-J28 |
JESD-609代码: | e3 | 长度: | 17.9324 mm |
内存密度: | 65536 bit | 内存集成电路类型: | STANDARD SRAM |
内存宽度: | 8 | 湿度敏感等级: | 3 |
功能数量: | 1 | 端子数量: | 28 |
字数: | 8192 words | 字数代码: | 8000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 85 °C |
最低工作温度: | -40 °C | 组织: | 8KX8 |
输出特性: | 3-STATE | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | SOJ | 封装等效代码: | SOJ28,.34 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
并行/串行: | PARALLEL | 峰值回流温度(摄氏度): | 260 |
电源: | 5 V | 认证状态: | Not Qualified |
座面最大高度: | 3.556 mm | 最大待机电流: | 0.015 A |
最小待机电流: | 4.5 V | 子类别: | SRAMs |
最大压摆率: | 0.17 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup): | 5 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | INDUSTRIAL | 端子面层: | Matte Tin (Sn) - annealed |
端子形式: | J BEND | 端子节距: | 1.27 mm |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
宽度: | 7.5184 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
7164S20YG8 | IDT |
完全替代 |
CMOS Static RAM 64K | |
7164L20YGI8 | IDT |
完全替代 |
CMOS Static RAM 64K | |
7164L20YG8 | IDT |
完全替代 |
CMOS Static RAM 64K |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
7164S20YGI8 | IDT |
获取价格 |
CMOS Static RAM 64K | |
7164S25D | IDT |
获取价格 |
Standard SRAM, 8KX8, 25ns, CMOS, CDIP28 | |
7164S25DG8 | IDT |
获取价格 |
CMOS Static RAM 64K | |
7164S25DG88 | IDT |
获取价格 |
CMOS Static RAM 64K | |
7164S25DGI | IDT |
获取价格 |
CMOS Static RAM 64K | |
7164S25DGI8 | IDT |
获取价格 |
CMOS Static RAM 64K | |
7164S25PE | IDT |
获取价格 |
Standard SRAM, 8KX8, 25ns, CMOS, PDSO28, 0.330 INCH, SOIC-28 | |
7164S25TDG8 | IDT |
获取价格 |
CMOS Static RAM 64K | |
7164S25TDG88 | IDT |
获取价格 |
CMOS Static RAM 64K | |
7164S25TDGI | IDT |
获取价格 |
CMOS Static RAM 64K |